ساخت نخستين تراشه DRAM با فن‌آوري 30 نانومتر در جهان
نخستين تراشه حافظه DRAM با فن‌آوري 30 نانومتر در جهان، توسط سامسونگ الكترونيكس ساخته شد.
به گزارش سرويس فن‌آوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، طبق پيش‌بيني اين شركت، محصول جديد نسبت به تراشه‌هايي DRAM كه با فن‌آوري 40 نانومتر ساخته شده‌اند مصرف برق را تا 85 درصد كاهش مي‌دهد.
بنا بر اعلام سامسونگ، اين فن‌آوري همچنين بهره‌وري را تا 60 درصد افزايش مي‌دهد و هر تراشه DRAM فضاي كمتري را در خط توليد اشغال مي‌كند.
بر مبناي فن‌آوري نانوي جديد، انتظار مي‌رود تراشه DDR3 كه به‌عنوان حافظه DRAM برتر در سال جاري ظهور مي‌كند، در مجموعه گسترده‌اي از محصولات ماند سرورها، نوت بوك‌ها، دسك‌تاپ‌ها و نسخه‌هاي آينده نت‌بوك‌ها و دستگاه‌هاي موبايل به كار گرفته شود.
سامسونگ توليد انبوه DDR3 با فن‌آوري 30 نانومتر را براي نيمه دوم سال جاري ميلادي برنامه‌ريزي كرده است.
isna.ir
