طراحی ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله‌های کربنی
ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله‌های کربنیمحققان دانشگاه سمنان با بهره گیری از فناوری نانو لوله های کربنی موفق به طراحی ترانزیستورهای جدید و بهبود یافته شدند.به گزارش خبرگزای مهر، اولین ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی در سال 1998 گزارش شده است. این ترانزیستورها دارای سرعت بسیار بالا و خصوصیات خوبی هستند ولی معایبی دارند که از آن جمله می توان به وابستگی به ولتاژ در حالت خاموشی، رفتار ambipolar (دو قطبی) و زیاد بودن مقدار سوئیچینگ اشاره کرد.
ارائه مدلهای جدید برای این ابزارها موجب درک دقیق تر مشخصات الکتریکی آنها شده که به رفع معایبشان کمک می کند. از این رو گروهی از شیمیدانها روش استثنایی برای تولید انبوه نانولوله های کربنی دراز، مستقیم و منظم به قطر تنها چند اتم معرفی کردند و شرایطی برای رشد نانو لوله ها یافته اند که در آن تقریبا تمام نانو لوله های رشد یافته، نیمه رسانا بوده و انتظار می رود که استفاده از آن در صنعت الکترونیک به طور چشمگیری افزایش یابد.
در این راستا محققان دانشگاه سمنان مقیاس پذیری ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی با ناخالصی هاله ای را مورد بررسی قرار دادند. آنها در این ساختار برای افزایش ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال، کانال را در نزدیک منبع ترانزیستور با اتمهای نوع p آلاییده کردند.
این آلاییدگی باعث کاهش شدید جریان نشتی، بهبود نوسانات زیرآستانه و افزایش بهره ولتاژ نسبت جریان روشن به خاموش شده است.
