Rram جايگزين Dram مي‌شود
يک شرکت تحقيقاتي تايواني اعلام کرد که از اين پس RRAM -Resistive RAM يا رم‌هاي مقاومتي مي‌توانند به عنوان يک تراشه حافظه‌اي جايگزين براي DRAM و حافظه‌هاي فلش NAND مورد استفاده قرار گيرند.
حافظه‌هاي DRAM مهم‌ترين حافظه‌هايي هستند که طي دهه‌هاي گذشته در کامپيوترها مورد استفاده قرار گرفته‌اند و به دليل توانايي در اجراي اطلاعات با سرعت بالا، از ارزش زيادي برخوردارند. حافظه‌هاي فلش NAND نيز از فناوري‌هاي جديد است که بازار آن با سرعت قابل ملاحظه‌اي رشد کرده است، زيرا اين امکان را به وجود آورده است تا حجم زيادي از فايل‌هاي صوتي، عکس و ديگر اطلاعات در دستگاه چندرسانه‌اي قابل‌حمل iPod، گوشي iPhone، دوربين‌هاي ديجيتالي و ديگر محصولات ذخيره شود.
محققان موسسه تحقيقات فناوري تايوان(ITRI) بر اين باورند که RRAM توانايي کامل خود را به اثبات رسانده و مي‌تواند طي سال‌هاي آتي به صورت گسترده وارد بازار شود.
تساي مينگ-جين (Tsai Ming-jinn)، مدير تحقيقات مرکز فناوري نانوالکترونيک در موسسه ITRI، گفت: ما هنوز در مراحل نخست توسعه اين فناوري به‌سر مي‌بريم و هم‌اکنون نمي‌توانيم به حافظه‌هاي DRAM اعتماد کامل داشته باشيم.
تاکنون بيش‌تر فعاليت‌هاي تحقيقاتي مبتکرانه روي تراشه‌هاي حافظه، بر DRAM و حافظه‌هاي فلش NAND تمرکز داشته است، زيرا اين دو محصول توانسته‌اند به صورت گسترده بازار را در اختيار بگيرند. براساس اطلاعات منتشر شده از سوي مرکز iSuppli، ارزش بازار جهاني DRAM در سال گذشته به‌تنهايي 24 ميليارد دلار اعلام شد.
بايد توجه داشت که به‌طور معمول بيش‌تر تلاش‌ها براي بيرون کردن اين دو حافظه از بازار تاکنون با شکست مواجه شده است. براي مثال، حافظه‌هاي PRAM Phase-change memory يکي از بخش‌ها در دنياي تراشه‌هاي حافظه‌اي است که مرکز ITRI قصد دارد در سال جاري ميلادي تمرکز خود را بر آنها کاهش دهد و ديگر براي توسعه و توليد آن تلاش نکند.
