پژوهشگر ايراني موفـق بـه سـاخـت سريع ترين ترانزيستور جهان شد
پژوهشگر ايراني موفـق بـه سـاخـت سريع ترين ترانزيستور جهان شد .
ايسنا : طرح ابتكاري دكـتـر فرشيــد ريــيســي عضــو هيــات عــلمــي گـــروه الـكتـرونـيـك دانـشگـاه صنـعتـي خـواجـه نصيرالدين طوسـي كـه در مجلـه معــتـبــر بيـن الـملـلــي Applied Physics Letters امـــريكـــا ارائه شـــده , بــازتـــاب وسيـعـي در نشريات و رسانـه هـاي علـمــي فيزيك جـهـان داشته است.
دكتـر رئيســي گفـــت : در طراحـــي ايــن ترانزيستـور بـه جـاي الكـتـرون از ســـالــــيتــــان ( بـــستـــه هــــاي امــواج الكترومغناطيسي ) كـه بـا سـرعـت نور حـركـت مي كند, استفاده شده است. وي درباره مزيت اين طرح گفت : ترانزيستور ساليتاني مي تواند صدها برابر سريـع تــر از ترانزيستورهاي معمـولـي كــه از جنــس نـيمـه هادي ها هستند, عمل كند.
رئيسي افزود: اين ترانــزيسـتـور در ابعاد 8 دهم ميليمتر ساخته شده و سـرعتـي حدود 8 گيگا هرتز دارد كه در مقايسـه بـا ترانزيستورهاي معمولي 3 برابر بيشتر اسـت و هر چه ابعاد آن كوچكتر بـاشـد , سـرعـت ترانزيستور افزايش مي يابد.
وي افزود: در صورت تجهيز آزمايشگـاه ساخت قطعات نـيمـه هـادي در ايران , بــا تـهيـه ترانزيستورهاي ساليتاني در ابعـاد صد نانومتر, مي توان سرعت فـركـانســي آن را به حـدود 200 تا 300 گيگاهرتز رسـانـد تـا در مواردي نظيـر ابـر رايـانـه هـا و فعاليت هـاي دفاعي كـهسـرعـت ترانزيستـور اهميت دارد, بكار رود.
دكتر رئيسي تحصيلات كارشنـاسـي خــود را در رشته مهندسي الكترونيك در دانشگـاه ايالتي لويي زيانا و تحصيـلات كـارشنـاسـي ارشـد و دكتــري خــود را در دانشــگــاه ويسكانسين مديسون امريكا به پايـان بـرده است .
