فناوری Heads
چندین خانواده مختلف از فناوری های بکارگرفته شده برای سخت Heads وجود دارد . با رشد و نمو فناوری هارد دیسک درایو ، طراحی هدهای Read/Write نیز دستخوش تحول گردیده است . اولین Heads هسته های آهنی ساده ای بودند که با سیم پیچهایی احاطه میشدند . با استانداردهای امروزی ، طراحی های اولیه Heads از نظر اندازه فیزیکی بسیار پرحجم و سنگین بنظر میرسد و چگالی ظیط آنها نیز بسیار پایین بوده است . در طول سالها ، طراحی Heads از اولین طراحی های ساده هسته Ferrite به گونه ها و فناوریهای مختلفی تکامل پیدا کرده اند که امروزه قابل دسترسی هستند . در این مطلب به بررسی انواع مختلف Heads که در هارد دیسک ها مورد استفاده قرار میگیرند ، خواهیم پرداخت . همچنین به کاربردها و نقاط قوت و ضعف هر یک اشاره خواهد شد .
چند نوع اصلی از Heads در هارد دیسکها مورد استفاده قرار گرفته اند :
- Ferrite یا هیدروکسید آهن .
- MIG مخفف Metal-In-Gap
- TF مخفف Thin-Film
- MR مخفف Magento resistive
- GMR مخفف Giant megento resistive
- TMR مخفف Tunneling magnetoresistive
- PMR مخفف Perpendicular magnetic recording
- CMR مخفف Colossal Magneto resistive
- HAMR مخفف Heat assisted magnetic recording
اولین نسل از Heads هارد دیسکها از نوع Ferrite بودند که برای اولین بار در سال 1966 در مدل IBM 2314 بکار رفته است . این Heads دارای یک هسته اکسید آهن هستند که با سیم پیچ های الکترو مغناطیسی پوشانده شده است . هدهای Ferrite بزرگتر و سنگینتر از هدهای Thine-Film هستند و به همین دلیل به ارتفاع شناوری بیشتری نیاز دارند تا از تماس آنها با دیسک در هنگام چرخش آن ، جلوگیری شود .
عکس زیر نمای نزدیک از Ferrite Heads مربوط به هارد دیسک Seagate ST-251 هست .
نسل دوم هدهای Metal-In-Gap یک نسخه ارتقاء یافته خاص از طراحی Ferrite هست . در هدهای Metal-In-Gap یک آلیاژ فلزی (مثلاً AlFeSil) در شکاف ضبط هد (head gap) قرار میگیرد . دو نسخه هدهای Metal-In-Gap ارائه شده اند : یکطرفه و دو طرفه . مغناطیس پذیری این آلیاژ مغناطیسی دو برابر Ferrite خام است و به Heads امکان میدهد تا بر روی رسانه های Thin-Film که برای چگالی بالاتر الزامی هستند بنویسد . به خاطر همین افزایش قابلیتها بواسطه بهبود در طراحی Heads ، هدهای Metal-In-Gap برای مدتی بعنوان رایجترین طرح Head به حساب میآمد و در اواخر دهه 80 و اوایل دهه 90 میلادی برای ساخت بسیاری از هارد دیسکها مورد استفاده قرار گرفت .
نسل سوم Heads از اصطلاح فیلم نازک (Thin-Film) استفاده میکنند که برای اولین بار در سال 1979 در مدل IBM 3370 بکار رفته است . شیوه تولید هدهای Thin-Film شباهت بسیار زیادی به تولید یک تراشه نیمه هادی از طریق فرآیند photo lithographic (فوتو لیتوگرافیک) دارد. این فرایند ، هزاران Head را بر روی یک ویفر مدور ایجاد کرده و محصولات بسیار کوچکی با کیفیت بالا را تولید میکند .
هدهای TF دارای شکاف فوق العاده باریک و کنترل شده ای هستند که بخوبی محافظت شده و احتمال آسیب دیدگی بر اثر تماس با دیسک در حال چرخش را به حداقل میرساند . هسته ترکیبی از آلیاژ نیکل و آهن هست که قدرت مغناطیسی آن 2 تا 4 برابر بیشتر از یک هسته هد Ferrite میباشد .
عکس زیر نمای نزدیک از TF Heads مربوط به هارد دیسک SyQuest SQ3270S هست .

هدهای TF یک پالس مغناطیسی دقیقاً تعریف شده را تولید میکنند که به آنها امکان میدهد در چگالی های فوق العاده بالا بنویسد . این هدهای کوچک و سبک وزن ، میتوانند در ارتفاع بسیار پایینتری نسبت به هدهای Ferrite و MIG شناور باشند . در بعضی از طرح ها ، ارتفاع پرواز Head به دو میکرو اینچ و یا کمتر میرسد . از آنجایی که ارتفاع پایینتر ، به Heads امکان میدهد تا سیگنال بسیار قویتری را از صفحات Platter برداشته و انتقال دهند نسبت سیگنال به نویز افزایش یافته و دقت نیز بهبود میابد . مزیت دیگر هدهای TF در این هست که اندازه کوچک آنه به صفحات Platter امکان میدهد تا در فاصله نزدیکتری نسبت به یکدیگر قرار گرفته و به این ترتیب ، تعداد آنه در یک فضای مشابه افزایش یابد .
هنگامی که هدهای TF برای اولین بار معرفی شده اند نسبیت به هدهای Ferrite و MIG نسبتاً گرانتر بودند . با این حال تکنیکهای تولید بهتر و نیاز به چگالی بالاتر ، بازار را به سمت هدهای TF کشاند . استفاده گسترده از این Heads در عین حال آنها را به یک رقیب جدی برای هدهای MIG تبدیل کرد .
یک پیشرفت تازه تر در ضبط مغناطیسی و یا بطور اختصاصی تر ، مرحله قرائت ضبط مغناطیسی (فقط خواندن اطلاعات نوشته شده) ، هدهای Magento resistive هستند که گاهی اوقات تحت عنوان هدهای Anisotropic Magento resistive نیز شناخته میشوند . هدهای MR میتوانند چگالی را در مقایسه با هدهای صرفاً القایی (عبور جریاان الکتریکی از سیم پیچها جهت ایجاد میدان مغناطیسی) قبلی را تا 4 برابر (یا بیشتر) افزایش دهند . IBM اولین درایو تجاری با هدهای MR را در سال 1991 با یک مدل 3.5 اینچی یک گیگابایتی معرفی کرد .

در عکس بالا
سمت چپ Slider و ferrite-head در هارد 40 مگابایتی 5.25 اینچی .
سمت چپ Slider و MR-head در هارد 3.2 گیگابایتی 3.5 اینچی .
تمام هدها ، Detector نیز هستند . بعبارت دیگر ، طراحی شده اند تا تغییرات شار (flux) را در Magnetic Media (یک لایه بسیار نازک مگنتیکی بر روی پلاتر) تشخیص داده و آنها را به سیگنالهای الکتریکی که قابل ترجمه به داده ها هستند ، تبدیل نمایند . یکی از مشکلات ضبط مغناطیسی ، تقاضای روز افزون برای چگالی بیشتر و بیشتر ، یعنی گنجاندن اطلاعات (تغییرات شار) بیشتر در یک فضای کوچک و کوچکتر است . هر چه نواحی مغناطیسی بر روی دیسک کوچکتر میشوند ، سیگنال دریافت شده از Heads ها نیز در طول فرایند خواندن ضعیفتر میشود . بدین ترتیب ، متمایز نمودن سیگنال واقعی از نویز تصادفی نیز دشوار میگردد . استفاده از یک Read Head با کارایی بالاتر ، برای تشخیص این تغییرات بر روی Magnetic Media بوده ضروری است .
تاثیر مغناطیسی دیگری که امروزه بخوبی شناخته شده است و در هارد دیسکهای مدرن مورد استفاده قرار میگیرد ، بر اساس این واقعیت فیزیکی است که وقتی یک سیم از میان یک میدان مغناطیسی عبور میکند ، نه تنها جریان کوچکی در سیم تولید میکند ، بلکه مقاومت (resistance) سیم نیز تغییر میکند . Read Headـهای استاندارد ، از هد بعنوان یک ژنراتور کوچک استفاده میکنند ، با تکیه بر این واقعیت که Heads در هنگام عبور از روی تغییرات شار معناطیسی ، یک جریان ضربانی را تولید خواهند کرد یک نوع جدیدتر از طراحی هد که IBM پیشگام آن بوده است ، به این واقعیت تکیه دارد که مقاومت سیم های هد در این شرایط تغییر خواهد کرد .
به جای استفاده از Head برای تولید جریانهای کوچک که باید فیلـتر گذاری ، تقویت و کدگشائی شوند . در روش MR از هد بعنوان یک مقاومت الکتریکی استفاده میکند . یک مدار ، ولتاژی را از هد عبور میدهد و ناظر بر تغییرات ولتاژی است که هنگام تغییر مقاومت هد (به خاطر عبور آن از تغییرات شار بر روی Magnetic Media) روی میدهند . این مکانیزم برای استفاده از هد ، سیگنال بسیار قویتر و شفافتری را از آنچه که بر روی Magnetic Media ضبط شده است ، تولید نموده و امکان افزایش چگالی را نیز بوجود می آورد .
هدهای MR بر این واقعیت تکیه دارند که مقاومت یک رسانا ، هنگامیکه یک میدان مغناطیسی خارجی بر آن اعمال میشود ، اندکی تغییر میکند . یک جریان کوچک از هد عبور کرده و تغییرات مقاومت را اندازه گیری میکند . در این طرح یک خروجی را تامین میکند که سه برابر یا بیشتر قویتر از یک هد TF در طول فرایند Read است . در نتیجه هدهای MR هدهای قدرتمندی برای خواندن هستند که عملکرد آنها بیشتر به حسگر شباهت دارند تا ژنراتورها .
از آنجایی که قاعده MR تنها به خواندن داده ها است و برای نوشتن آنها مورد استفاد قرار نمیگیرد ، هدهای MR در واقع دو هد در داخل یک هد هستند . این مجموعه شامل یک هد TF القایی استاندارد برای نوشتن داده ها و یک هد MR برای خواندن آنها است . از آنجایی که دو هد مجزا در اخل یک مجموعه قرار گرفته اند ، هر هد میتواند برای وظیفه خود بهینه سازی شود . هدهای Ferrite و MIG و TF بعنوان هد های تک شکاف شناخته میشوند زیرا از یک شکاف واحد برای هر دو وظیفه Read و Write استفاده میشود . در حالیکه هدهای MR از یک شکاف جداگانه برای هر یک از این وظایف استفاده میکند (عکس زیر) .

در تلاش برای افزایش هر چه بیشتر چگالی ، IBM یک نوع جدید از هدهای MR را در سال 1997 معرفی کرد . این هدها GMR مخفف Giant megento resistive نامیده میشوند که از نظر فیزیکی کوچکتر از هدهای MR استاندارد هستند اما نام خود را از تاثیر GMR گرفته اند که بر اساس آن کار میکنند . طراحی ایندو هد شباهت بسیار زیادی باهم دارند . با اینحال لایه NiFe در یک طراحی MR متعارف با لایه های بیشتری جایگزین شده است . در هدهای MR یک غشاء NiFe واحد مقاومت را در واکنش به معکوش شدن شار بر روی لایه مگنتیکی تغییر میدهد ولی در هدهای GMR دو غشاء (که با یک لایه رسانای مسی بسیار باریک جدا شده اند) این وظیفه را انجام میدهد .

تاثیر GMR اولین بار در سال 1988 در نمونه های کریستالی که در معرض میدان مغناطیسی بسیار قدرتمند (1000 برابر میدانهای مورد استفاده در هارد دیسک) قرار گرفته بودند ، کشف شد . یک دانشمند آلمانی به نام Peter Gruenberg و یک دانشمند فرانسوی به نام Albert Fert کشف کردند که تغییرات بسیار بزرگی در مقاومت مواد متشکل از لایه های بسیار باریک متناوب (Alternating) از عناصر فلزی مختلف ، روی میدهد . ساختار کلیدی در موارد GMR ، یک لایه جدا کننده فلز غیر مغناطیسی در بین دو لایه از فلزان مغناطیسی است . یکی از این لایه ها pinned شده است ، بعبارت دیگر دارای یک امتداد مغناطیسی تحمیلی است (magnetic orientation is fixed) . لایه مغناطیسی دوم آزاد میباشد (variable (free) orientation) و بدان معنی است که امتداد یا تراز بندی خود را آزادانه تغییر دهد . موارد مغناطیسی تمایل دارند تا خودشان را در امتدادهای یکسانی همتراز نمایند . بنابراین اگر لایه جداکننده به اندازه کافی نازک باشد ، لایه آزاد همان امتداد لایه pinned را خواهد پذیرفت .

چیزی که کشف شد این بود که همترازی مغناطیسی (magnetic orientation) لایه مغناطیسی آزاد ، متناوباً بین همترازی با امتداد مغناطیسی لایه pinned و همترازی در امتداد مغناطیسی معکوس آن ، تغییر میکند . هنگامیکه لایه ها در امتداد مغناطیسی مشابهی قرار میگیرند ، مقاومت نسبتاً پایین و هنگامیکه لایه ها در ترازبندی مغناطیسی معکوس قرار میگیرند مقاومت نسبتاً بالا است .
بعبارت دیگر تغییر ناگهانی در مقاومت الکتریکی ، هنگامی اتفاق میافتد که مادهای شامل لایههای فلزی متناوب فرو مغناطیسی و پارامغناطیسی، در معرض یک میدان مغناطیسی بزرگ قرار بگیرد، اگر مغناطیدگی در لایههای مجاور موازی باشد، مقاومت بسیار کمتر خواهد شد و اگر ناموازی باشد مقاومت بسیار بالاتر خواهد رفت. این تغییر مقاومت به خاطر الکترونهای اسپین بالا و پایین است که در لایههای منفرد پراکنده شدهاند.

هنگامیکه یک میدان مغناطیسی ضعیف (مانند میدان مغماطیسی ایجاد شده توسط یک بیت بر روی Magnetic Media پلاترها) ، از زیر یک هد GMR عبور میکنند ، ترازبندی مغناطیسی لایه آزاد نسبت به لایه دیگر چرخیده و یک تغییر قابل ملاحظه در مقاومت الکتریکی را بخاطر تاثیر GMR بوجود میآورد . از آنجایکه طبیعت فیزیکی تغییر مقاومت ، به خاطر چرخش نسبی الکترونها در لایه های مختلف تعیین میشود ، هدهای GMR معمولاً تحت عنوان هدهای Spin Valve نیز شناحته میشوند .
از زمان ساخته شدن نخستين هارد ديسك توسط IBM ، در طراحي سنتي به گونهاي ساخته ميشوند كه Head ، اطلاعات را به صورت افقي ((Longitudinal روي سطح Magnetic Media نوشته و ميخواند، اما در فناوري Perpendicular اطلاعات به صورت عمودي روي سطح هارد ديسك نوشته شده كه اين امر امكان جا دادن حجم بسيار زيادي اطلاعات در فضايي بسيار كمتر از سطح هارد ديسك را ممكن ميكند.
در عکس زیر Perpendicular (Vertical) Recording دیده میشود .
در عکس زیر Longitudinal (Horizontal) Recording دیده میشود .
منابع
1. pcguide.com
2. wikipedia
2. مجله بزرگراه رایانه شماره 140 اردیبهشت سال 90