دنیای الکترونیک و دیجیتال

[mahdi2005]

با سلام به همه آیا کسی در مورد مطالب زیر اطلاعاتی داره مقاله و یا کتاب ویا هر مطلب آموزشی حدالمقدور فارسی برای تحقیق و ارائه به مدرسه می خوام یه نمونه از هر کدام باشه کافیه

1_دیود تونل

4_دیود ال_ای_دی

6_اسیلاتورها (نوسانسازها)

8_ترانزیستورهای فرکانس بالا

9_بررسی مدلهای سیگنال کوچک ترانزیستورهای دوقطبی

***10_بررسی نویز در دیودهای نوری

12_ترانزیستورهایی با بیس فلزی

13_ترانزیستورهای

Mosfet

ترانزیستورهای _14

Mesfet

22_بررسی مدلهای مختلف دیود در تحلیل مدار

23_تشریح مراحل مختلف اخت ترانزیستورهای بی جی تی

24_تشریح کامل عملکرد ترانزستورهای

Jeft

20_دیود

Trapat

15_ترانزیستورهای

Hbt

16_ترانزیستورهای

Hemt

ممون و التماس دعا

[Hidden-H]

باشه دوست عزيز
برات مي ذارم

[Hidden-H]

از پیوند دو نوع نیم رسانای n و p یک قطعه الکترونیکی به نام دیود بوجود می‌آید که در انواع مختلفی در سیستمهای مخابرات نوری ، نمایشگرهای دیجیتالی ، باتری‌های خورشیدی و ... مورد استفاده قرار می‌گیرد.


دید کلی
دیود یک قطعه ‌الکترونیکی است که ‌از به هم چسباندن دو نوع ماده n و p (هر دو از یک جنس ، سیلیسیم یا ژرمانیم) ساخته می‌شود. چون دیود یک قطعه دو پایانه ‌است، اعمال ولتاژ در دو سر پایانه‌هایش سه حالت را پیش می‌آورد.
دیود بی بایاس یا بدون تغذیه که ولتاژ دو سر دیود برابر صفر است و جریان خالص بار در هر جهت برابر صفر است.
بایاس مستقیم یا تغذیه مستقیم که ولتاژ دو سر دیود بزرگتر از صفر است که ‌الکترونها را در ماده n و حفره‌ها را در ماده p تحت فشار قرار می‌دهد تا یونهای مرزی با یکدیگر ترکیب شده و عرض ناحیه تهی کاهش یابد. (گرایش مستقیم دیود)
تغذیه یا بایاس معکوس که ولتاژ دو سر دیود کوچکتر از صفر است، یعنی ولتاژ به دو سر دیود طوری وصل می‌شود که قطب مثبت آن به ماده n و قطب منفی آن به ماده p وصل گردد و به علت کشیده شدن یونها به کناره عرض ناحیه تهی افزایش می‌یابد (گرایش معکوس دیود).
مشخصه دیود در گرایش مستقیم
فرض کنید توسط مداری بتوانیم ولتاژ دو سر یک دیود را تغییر دهیم و توسط ولتمتر و آمپرمتر ولتاژ و جریان دیود را در هر لحظه اندازه گیری کرده ،بر روی محورهای مختصات رسم نماییم.جریان I در جهتی است که دیود قادر به عبور آن است .به همین علت اصطلاحاَ گفته می شود دیود در گرایش مستقیم یا بایاس مستقیم است . در هر حال اگر توسط پتانسیومتر ولتاژ دو سر دیود را از صفر افزایش دهیم ،مشاهده می شود تا ولتاژ به خصوصی ، جریان قابل ملاحظه ای از دیود عبور نمی کند.به این ولتاژ زانو می گویند ،این ولتاژبرای دیودهای از جنس ژرمانیم 2/0 ولت و برای دیودهای سیلیسیم 7/0 ولت است .تا ولتاژ زانو اگرچه دیود در جهت مستقیم است ، اما هنوز دیود روشن نشده است .از این ولتاژ به بعد ، به طور ناگهان جریان در مدار افزایش یافته و هرچه ولتاژ دیود را افزایش دهیم ، جریان دیود افزایش می یابد .
مشخصه دیود در گرایش معکوس
هرگاه جهت دیود را تغییر داده یعنی برعکس حالت گرایش مستقیم ، در جهت بایاس معکوس جریان مدار خیلی کم بوده و همچنین با افزایش ولتاژ معکوس دو سر دیود جریان چندان تغییر نمی کند به همین علت به آن جریان اشباع دیود گویند که این جریان حاصل حاملهای اقلیت می باشد . حدود مقدار این جریان برای دیودهای سیلیسیم ،نانو آمپر و برای دیودهای ژرمانیم حدود میکرو آمپر است. ارگ ولتاژ معکوس دیود را همچنان افزایش دهیم به ازاء ولتاژی ، جریان دیود به شدت افزایش می یابد . ولتاژ مزبور را ولتاژ شکست دیود می نامند و آنرا با VB نشان می دهند . دیودهای معمولی ،اگر در ناحیه شکست وارد شوند از بین می روند .(اصطلاحاَ می سوزند).
بنابر این ولتاژ شکست دیود یکی از مقادیر مجاز دیود است که توسط سازنده معین می گردد و استفاده کننده از دیود باید دقت نماید تا ولتاژ معکوس دیود به این مقدار نرسد.
البته در حالت مستقیم نیز جریان دیود اگر از حدی تجاوز نماید به علت محدودیت توان دیودباعث از بین رفتن دیود می گردد.این مقدار نیز یکی از مقادیر مجاز دیود است و به آن جریان مجاز دیود گفته می شود و توسط سازنده دیود معین می گردد.

[Hidden-H]

دیدکلی
وقتی که دیودی در بایاس معکوس قرار می‌گیرد، با افزایش ولتاژ معکوس لایه تهی تقریبا فاقد حاملهای بار الکتریکی است، شبیه به یک عایق یا دی‌الکتریک عمل می‌کند. از سوی دیگر نواحی n و p شبیه به رسانای خوب عمل می‌کنند. با یک تجسم ساده می‌توان نواحی p و n را در دو طرف لایه تهی مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت. از این جهت ظرفیت این خازن تخت موازی را ظرفیت خازن انتقال یا ظرفیت لایه تهی گویند. ظرفیت خازن انتقال (Ct) هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیوم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغیر یا ورکتور نام دارند.

ساخت دیود متغیر
در دیود متغیر ، رابطه ظرفیت دیود با پتانسیل گرایش معکوس به صورت است، که اگر پیوند خطی باشد، است. ولی اگر پیوند تیز باشد، است. پس حساسیت ولتاژ برای یک پیوند تیز بیشتر از پیوند شیبدار خطی است. به این دلیل ورکتور غالبا با روشهای آلیاژی یا رشد رونشستی و یا کاشت یونی ساخته می‌شوند.

مشخصات لایه رونشستی و ناخالصی بستر را می‌توان طوری انتخاب کرد که پیوندهای با نمای n بزرگتر از بدست آید. چنین پیوندهایی فوق تیز نامیده می‌شوند. ورکتور موازی با یک القاگر تشکیل یک مدار تشدید می‌دهد. با تغییر ولتاژ معکوس ورکتور می‌توانیم فرکانس تشدید را تغییر بدهیم. این کنترل الکترونیکی فرکانس تشدید در موارد مختلف مدارهای الکترونیکی کاربرد فراوان دارد.

کاربرد دیود متغیر
دیود متغیر یا ورکتور به شکل متداولتری برای بهره‌گیری ویژگی‌های ولتاژ متغیر ظرفیت بکار می‌رود. مثلا یک ورکتور با مجموعه‌ای از ورکتورها را می‌توان در طبقه تنظیم ، که گیرنده رادیویی به جای خازن حجیم صفحه متغیر ظرفیت مورد استفاده قرار داد. در این صورت اندازه مدار می‌تواند بسیار کوچک شده قابلیت اطمینان آن بهتر شود. از دیگر کاربردهای ورکتورها می‌توان به تولید رمونی‌ها ، ضرب فرکانس‌های مایکرویو ، فیلتر‌های فعال اشاره کرد.

[Hidden-H]

با led اشتباه نگيريد
قطعات دو پایانه طراحی شده برای پاسخ به جذب فوتون ، دیودهای نوری نامیده می‌شوند. از این قطعات پیوندی برای بهبودی سرعت پاسخ و حساسیت آشکارسازهای نوری یا تابش‌های پرانرژی استفاده می‌شود. بیشترین کاربرد آنها در مخابرات نوری و باتری‌های خورشیدی است.


دید کلی
قطعات دو پایانه طراحی شده برای پاسخ به جذب فوتون ، دیودهای نوری نامیده می‌شوند. برخی از دیودهای نوری سرعت پاسخ و حساسیت بسیار بالایی دارند. از آنجایی که ‌الکترونیک نوین علاوه بر سیگنالهای الکتریکی اغلب دارای سیگنالهای نوری نیز می‌باشد، دیودهای نوری نقش مهمی ‌را به عنوان قطعات الکترونیک ایفا می‌کنند. غالبا از قطعات پیوندی برای بهبودی سرعت پاسخ و حساسیت آشکارسازهای نوری یا تابش‌های پرانرژی استفاده می‌شود
ولتاژ و جریان در یک پیوند نور تابیده
ولتاژ و جریان در یک پیوند نور تابیده
رانش حاملین بار اقلیت در دو سر یک پیوند تولید جریان می‌کنند، بویژه حاملین بار تولید شده در ناحیه تهی w توسط میدان پیوند جدا شده ‌الکترونها در ناحیه n و حفره‌ها در ناحیه p جمع می‌شوند. همچنین حاملین بار اقلیت که به صورت گرمایی در فاصله یک طول نفوذ از طرفین پیوند تولید می‌شوند، به ناحیه تهی نفوذ کرده و توسط میدان الکتریکی به طرف دیگر جاروب می‌شوند. اگر پیوند بطور یکنواخت توسط فوتون‌های با انرژی hv>Eg تحت تابش قرار گیرد، یک نرخ تولید اضافی در این جریان مشارکت می‌کند و ولتاژ مستقیم در هر دو سر یک پیوند نور تابیده به نام پدیده فوتوولتائیک ایجاد می‌شود.

باتری‌های خورشیدی
امروزه برای تامین توان الکتریکی مورد نیاز بسیاری از ماهواره‌های فضایی از آرایه‌های باتری خورشیدی از نوع پیوندی p-n استفاده می‌شود. باتری‌های خورشیدی می‌توانند توان مورد نیاز تجهیزات داخل یک ماهواره را در مدت زمان طولانی فراهم سازند. آرایه‌های پیوندی را می‌توان در سطح ماهواره توزیع و یا اینکه در باله‌های باتری خورشیدی متصل به بدنه ‌اصلی ماهواره جا داد.

برای بهره گیری از بیشترین مقدار انرژی نوری موجود ، لازم است که باتری خورشیدی دارای پیوندی با سطح مقطع بزرگ و در نزدیکی سطح قطعه باشد. پیوند سطحی توسط نفوذ یا کاشت یون تشکیل شده و برای جلوگیری از انعکاس و نیز کاهش بازترکیب ، سطح آن با مواد مناسب پوشیده می‌شود.

آشکارسازهای نوری
یک چنین قطعه‌ای برای اندازه گیری سطوح روشنایی یا تبدیل سیگنالهای نوری متغیر با زمان به سیگنالهای الکتریکی وسیله‌ای مناسب است. در بیشتر آشکارسازهای نوری سرعت پاسخ آشکارساز بسیار مهم است. مرحله نفوذ حاملین بار امری زمان‌بر است و باید در صورت امکان حذف شود. پس مطلوب است که پهنای ناحیه تهی به ‌اندازه کافی بزرگ باشد تا اکثر فوتون‌ها به‌جای نواحی خنثی n و p در درون ناحیه تهی جذب شوند.

وقتی که یک EHP در ناحیه تهی بوجود آید، میدان الکتریکی ، الکترون را به طرف n و حفره را به طرف p می‌کشد. چون این رانش حاملین بار در زمان کوتاهی رخ می‌دهد، پاسخ دیود نوری می‌تواند بسیار سریع باشد. هنگامی ‌که حاملین بار عمدتا در ناحیه تهی w ایجاد شوند، به آشکارساز یک دیود نوری لایه تهی گفته می‌شود. اگر w پهن باشد، اکثر فوتون‌های تابشی در ناحیه تهی جذب خواهند شد. w پهن منجر به کاهش ظرفیت پیوند شده و در نتیجه ثابت زمانی مدار آشکارساز را کاهش می‌دهد.

نحوه کنترل پهنای ناحیه تهی
روش مناسب برای کنترل پهنای ناحیه تهی ساختن یک آشکارساز نوری p-i-n است. ناحیه i مادامی که مقاومت ویژه زیاد است، لزومی ‌ندارد که حقیقتا ذاتی باشد. می‌توان آن را به روش رونشستی روی بستر نوع n رشد داد و ناحیه p را توسط نفوذ ایجاد کرد. هنگامی‌ که ‌این قطعه در گرایش معکوس قرار می‌گیرد، ولتاژ وارده تقریبا بطور کامل در دو سر ناحیه i ظاهر می‌شود. برای آشکارسازی سیگنالهای نوری ضعیف اغلب مناسب است که دیود نوری در ناحیه شکست بهمنی مشخصه‌اش عمل کند.

نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری
در سیستمهای مخابرات نوری حساسیت آشکارسازهای نوری و زمان پاسخ آنها بسیار مهم است. متاسفانه ‌این دو ویژگی عموما با هم بهینه نمی‌شوند. مثلا در یک آشکارساز نوری بهره به نسبت طول عمر حاملین بار به زمان گذار وابسته ‌است. از سوی دیگر پاسخ فرکانسی نسبت عکس با طول عمر حاملین بار دارد. معمولا حاصلضرب بهره در پهنای باند را به عنوان ضریب شایستگی برای آشکارسازها ملاک قرار می‌دهند.

طراحی برای افزایش بهره سبب کاهش پهنای باند می‌شود و برعکس ویژگی مهم دیگر آشکارسازها نسبت سیگنال به نویز است که مقدار اطلاعات مفید در مقایسه با نویز در زمینه آشکارساز را نشان می‌دهد. منبع اصلی نویز در نور رساناها نوسانات اتفاقی در جریان تاریک است. جریان نویز در تاریکی متناسب ، دما و رسانایی ماده ‌افزایش می‌یابد. افزایش مقاومت تاریک همچنین بهره نور رسانا را افزایش داده و بالطبع باعث کاهش پهنای باند می‌شود.

کاربرد دیود نوری
کاربرد باتری‌های خورشیدی محدود به فضای دور نیست. حتی با تضعیف شدت تابش خورشید توسط جو می‌توان توسط این باتری‌ها توان مفیدی را برای کاربردهای زمینی بدست آورد. یک باتری خوش ساخت از سیلیسیم می‌تواند دارای بازده خوب در تبدیل انرژی الکتریکی باشد

[Hidden-H]

وست عزيز بهتر بود سوالتو تو يه تاپيك مطرح مي كردي
پس تو اون تاپيك ها هم منتظر جواب باش
خداحافظ

[Hidden-H]

ترانزیستور پیوندی تک قطبی
ترانزیستورهای پیوندی به صورت مخفف با FET نمایش داده می‌شود، که F حرف اول Field به معنای میدان و E حرف اول کلمه Effect به معنی اثر و T حرف اول کلمهTransistor به معنی ترانزیستور است
دیدکلی
FET یا ترانزیستور اثر میدان یک وسیله سه پایه است که در آن جریان گذرنده از دو پایه توسط پایه سوم کنترل می‌شود. برخلاف ترانزیستورBJT ، قطعات اثر میدان به جای جریان توسط یک ولتاژ در محل پایه سوم کنترل می‌شوند. علاوه بر اینFET قطعه‌ای یک قطبی است، یعنی جریان تنها توسط باربرهای اکثریت ایجاد می‌شود. این قطعات را می‌توان در بسیاری از کاربردها از تقویت سیگنال گرفته تا تحقق توابع منطقی و حافظه‌ای مورد استفاده قرار داد.

FET پیوندی
در یک ترانزیستور پیوندی (JFET) ، از پهنای متغیر با ولتاژ ناحیه تهی یک پیوند برای کنترل سطح مقطع موثر یک کانال هدایت کننده استفاده می‌شود. جریان از طریق یک کانال نوع n بین دو ناحیه جاری می‌شود. یک گرایش معکوس بین این نواحی و کانال سبب وارد شدن نواحی تهی به ماده n شده و در نتیجه پهنای موثر کانال محدود می‌شود.

مقاومت کانال با تغییر سطح مقطع موثر تغییر خواهد کرد. بطور قیاسی نواحی تهی متغیر همچون دو در یک دروازه هستند که کانال هدایت را باز و بسته می‌کنند. یک سر کانال که الکترون‌ها از آنجا حرکت می‌کنند، سورس و سر دیگری که الکترون‌ها به طرف آن جاری می‌شوند درین نامیده می‌شود. نواحی گیت نامیده می‌شود.

FET فلز نیم رسانا
روند تهی‌سازی کانال در یک JFET را می‌توان به جای استفاده از یک پیوند p-n به کمک یک سد شاتکی در گرایش معکوس انجام داد. قطعه بدست آمده MESFET نامیده می‌شود که به معنای استفاده از یک پیوند فلز - نیم رسانا است. این قطعه در مدارهای دیجیتالی بسیار سریع یا MESFET و در مایکروویو که در آنها سادگی سدههای شاتکی امکان ساخت با خطاهای مهندسی ناچیز را فرهم می‌سازد، مفید واقع می‌شوند. قطعات MESFET ساخته شده از ترکیب‌های یا به دلیل داشتن تحرک بیشتر باربرها و سرعت رانش بالای آنها از ویژگی سرعت بیشتر نسبت به برخوردارند.

FET فلز - عایق - نیم رسانا
یکی از پرکاربردترین قطعات الکترونیکی بویژه در مدارهای مجتمع دیجیتالی ، ترانزیستور فلز - عایق - نیم رسانا است. در این قطعه جریان کانال توسط ولتاژ اعمال شده به یک الکترود گیت که توسط یک عایق از کانال جدا شده است، کنترل می‌شود. می‌توان قطعه بدست آمده را بطور عام به عنوان ترانزیستور اثر میدانی با گیت عایق شده نامید. با این حال چون در اکثر این قطعات از سیلسیوم به عنوان نیم رسانا ، به عنوان عایق و از یا فلزات دیگر برای الکترود گیت استفاده می‌شود.

اساس کار FET اساس کارFET بر کنترل پهنای ناحیه تخلیه و در نتیجه پهنای کانال توسط ولتاژ بایاس معکوس پیوند گیت - کانال استوار است، که به نوبه خود سیر جریان از طریق کانال را کنترل می‌کند.

کاربردهای ویژه JFET به عنوان کلید در مدارها مورد استفاده قرار می‌گیرد. همچنین جهت تقویت سیگنالهای آنالوگ بکار می‌رود. ترانزیستور MOSFET که نمونه‌ای از ترانزیستورهای فلز - عایق - نیم‌رسانا است، در مدارهای دیجیتالی بکار می‌رود، که در آنها از حالت قطع به حالت وصل سوئیچ تبدیل می‌شود.
منبع:سايت رشد

[Hidden-H]

ترانزیستور پیوندی دوقطبی
ترانزیستور یک قطعه ‌الکترونیکی فعال است که از ترکیب سه قطعه n و p بدست می‌آید و دارای سه پایه به نامهای بیس ، امیتر و کلکتور می‌باشد. این قطعه الکترونیکی می‌تواند با کنترل جریان ، مدار را تقویت کند و همچنین برای سوئیچ کردن مدار الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد
دید کلی
ترانزیستور یک قطعه ‌الکترونیکی فعال بوده و از ترکیب سه قطعه n و p بدست می‌آید که ‌از ترزیق حاملین بار اقلیت در یک پیوند با گرایش مستقیم استفاده می‌کند و دارای سه پایه به نامهای بیس (B) ، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه ‌اثر الکترونها و حفره‌ها هر دو مهم است، به آن یک ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود.

تاریخچه
عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در 1948 توسط باردین ، براتاین و شاکلی در آزمایشگاههای تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تاثیر شگفتی روی تقریبا تمام حوزه‌های زندگی نوین گذاشته ‌است.

انواع ترانزیستور پیوندی pnp
شامل سه لایه نیم ‌هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.

npn
شامل سه لایه نیم‌ هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعه pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.

ساختمان ترانزیستور پیوندی
ترانزیستور دارای دو پیوندگاه ‌است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفا دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که شدیدا آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده ‌از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

طرز کار ترانزیستور پیوندی
طرز کار ترانزیستور را با استفاده ‌از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه ‌الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود.

الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده ، به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است.

نحوه ‌اتصال ترازیستورها
اتصال بیس مشترک
در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها می‌شود.

اتصال امیتر مشترک
مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا می‌باشد.

اتصال کلکتور مشترک
اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود.

کاربرد ترانزیستور
ترانزیستورها می‌توانند با کنترل جریان مدار را تقویت کنند و این مورد بطور گسترده‌ای در مدارهای ترانزیستوری بکار می‌رود. همچنین عمل مهم دیگر ترانزیستورها در مدارهای الکترونیکی قابلیت کنترل حالت خاموش و روشن قطعه ‌است. این نوع سوئیچ کردن بویژه در مدارات دیجیتالی ‌مفید است.
[ برای مشاهده لینک ، با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[Hidden-H]

دیدکلی
اندازه گیری فرکانسهای رادیوئی (RF) به ابزارها و روشهای خاص نیاز دارد. چون در اندازه گیری فرکانسهای رادیوئی نکات خاصی را باید مورد توجه قرار داد که در فرکانس صوتی بدان نیاز نیست.

نکات احتیاطی خاص در فرکانسهای رادیوئی
در آزمایشها تجربه شده است که محدودیت اندازه گیری فرکانسهای RF بیشتر از فرکانسهای صوتی (AF) است. تغییر زیاد فرکانس در نتیجه تغییر کوچک مقدار سلف و خازن ، تداخل هماهنگها و فرکانسهای اصلی ، انتقال نقطه کار و تاثیر مقادیر حتی کوچک تغییر راکتانس ، تنها چند نمونه از پارامترهائی هستند که در اندازه گیری فرکانسهای بالا باید مورد توجه قرار گیرند.

رابطه‌ها
کلیه سیمهای رابط باید برای به حداقل رساندن خود القائی و تزویج انتشاری تا جای ممکن کوتاه و مستقیم باشند. همچنین رابط باید حتی المقدور نازک باشد. در مدار بندی اندازه گیری فرکانس صوتی رابطه‌های بلند چندان ایجاد مزاحمت نمی‌کند، اما در فرکانسهای رادیوئی نمی‌توان از طول رابط صرف نظر کرد (به عنوان مثال در فرکانس 50MHZ ، سیم مسی نمره 22 با طول 10 اینچ مستقیم دارای راکتانسی حدود 94 اهم است). برای اجتناب از اشکالات مربوط به سیم رابط همیشه از رابط های شیلداری استفاده کنید که معمولا در سیگینال ژنراتورها و دیگر دستگاههای RF بکار می‌رود.

زمین سازی
برگشت کلیه شاخه‌های مدار که به یک نقطه متصل شده است باید به زمین حفاظتی (earth ) وصل شود (یک شیر آب سرد برای این منظور مناسب است). از چند نقطه زمین کردن اجتناب کنید، حتی اگر توسط سیم به هم متصل شده باشند. زیرا احتمال تزویج متقاطع افزایش می‌یابد.

ظرفیت بدن
در بعضی از مدارها ظرفیت دست انسان می‌تواند مداری را از تنظیم خارج نموده و یا سطح سیگنال را کاهش دهد. اثر این ظرفیت باید حذف شده و یا به حداقل مقدار ممکن خود برسد. برای اجتناب از این نقص از آچارهای تنظیم چوبی یا کائوچوئی استفاده کنید. کلیه این تنظیمها را باید قبل از شروع به اندازه گیری اصلی انجام دهید. چنانچه مدار اندازه گیری بگونه‌ای باشد که رعایت مورد فوق مقدور نباشد، در این صورت در نتیجه اندازه گیریها باید مقدار خطای حاصل از ظرفیت بدن دخالت کرده و نتیجه را تصحیح کند.

انحراف فرکانس
اغلب در فرکانسهای رادیوئی انحراف فرکانس در ابزارها و مدارهای آزمایش خیلی قابل توجه تر از فرکانسهای صوتی است. علل معمول این انحراف فرکانس عبارت از تغییرات حرارت ، تغییرات ولتاژ کار و کهنگی اجزای مدار می‌باشد. با انجام اندازه گیری در یک محیط با حرارت ثابت و استفاده از منابع تغذیه تثبیت شده ، انحراف فرکانس به مقدار زیادی کاهش می‌یابد. انحراف زیاد فرکانس معمولا نتیجه‌ای از طول عمر ابزار و افت باتری است، که تنظیم مکرر و متناوب ابزارها و تعویض به موقع باتریها و اجزای خراب شده کاهش می‌یابد.

تداخل رادیوئی
بعضی از مدارها بویژه آنهایی که شامل ابزارهای RF حساس هستند، سیکنالهای پخش فرستنده‌های شهری را دریافت می‌کنند. از این رو قبل از اندازه گیری باید مدار را بررسی نمود که آیا فرکانس مورد اندازه گیری در حدود فرکانسهای پخش رادیو یا تلویزیون یا هماهنگهای آنها هست یا خیر. شیلد و زمین مناسب برای مدار اندازه گیری معمولا این اشکال را از بین می‌برد.

در هر حال بعضی مواقع سیگنالهائی از طریق خط شبکه که مانند یک آنتن عمل می‌کند، به مدار می‌رسند. این سیگنالها از ابزارهای بکار رفته در شبکه عبور کرده و به مدار اندازه گیری وارد می‌شوند. برای اجتناب از این امر به یک صافی RF نیاز است. در شرایطی که تداخل رادیو یا تلویزیون زیاد باشد، باید کلیه اندازه گیریها در یک محفظه شیلد انجام شود.

دریافت نویر (نوفه)
بعضی از مدارهای اندازه گیری به خصوص آن دسته که شامل ابزارهای RF حساس هستند، نویز الکتریکی دریافت می‌کنند. این نویز را می‌توان با کاهش طول رابط‌ها ، خوب شیلد کردن و استفاده از صافیهای RF شبکه مناسب ، به حداقل رسانید. در شرایطی که نویز خیلی قوی باشد، تنها راه چاره جداسازی منبع نویز از مدار اندازه گیری توسط اطاق شیلد یا تغییر محل آزمایش است.

هماهنگها
در بعضی از اندازه گیریهای فرکانس رادیوئی ممکن است آزمایشگر به جای فرکانس اصلی ، هماهنگ یا زیر هماهنگ آن را اشتباها مورد اندازه گیری قرار دهد.

اتصال شل
اتصال شل منبع سیگنال و وسیله اندازه گیری فرکانس ، پاسخ فرکانس دستگاه را پهن ساخته و از این رو دقت اندازه گیری کاهش می‌یابد. این نقیصه همچنین موجب انحراف فرکانس می‌شود. به خصوص وقتی که منبع سیگنال یک نوسانساز تحریک از خود باشد. بنابراین برای بیشترین دقت باید اتصال بطور صحیح انجام گیرد.

ابزارهای چند گانه
در بعضی وسایل عملی تنها یک دستگاه برای آزمایش بکار می‌رود. در استفاده هم زمان دستگاههای جداگانه اغلب بی دقتی‌هایی روی می‌دهد. چنانچه استفاده از چند دستگاه اجتناب ناپذیر باشد، باید قبلا دستگاهها را بررسی نمود و خطای هر دستگاه را در نتیجه اندازه گیری وارد نمود.

واحد فرکانس
برای پیشگیری از اشتباه و خطا ،‌ کلیه فرکانسها در یک آزمایش خاص باید تنها برحسب یک واحد باشند. از آنجا که ممکن است به خاطر ابزارهای گوناگون استفاده از واحدهای مختلف اجتناب ناپذیر باشد، لذا آزمایشگر باید به این مسئله توجه داشته و قبل از انجام محاسبات آنها را به یک واحد تبدیل کند.

تنظیم مجدد
دستگاههای اندازه گیری فرکانس را باید بطور منظم در طول آزمایش بررسی نموده و در صورت خطا مجددا تنظیم نمود. بعضی از دستگاهها مانند سیگنال ژنراتور در داخل دارای یک فرکانس مبنا هستند. معمولا نوسانساز کریستالی 100KHZ که اجازه امتحان متناوب تنظیم را در طول آزمایش می‌دهند، چنانچه این فرکانس مبنای داخلی موجود نباشد، آزمایشگر باید با اعمال یک سیگنال مبنای خارجی تنظیم دستگاه را امتحان کند
منبع: [ برای مشاهده لینک ، با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[Hidden-H]

سلام دوستان
همگي خسته نباشين