توشيبا تراشه‌ي حافظه‌ي سه‌بعدي مي‌سازد
توشيبا با آغاز ساخت يك كارخانه جديد در ژاپن در اواخر سال جاري نخستين گام را به‌سوي توليد انبوه نسل جديد تراشه‌ها برمي‌دارد.
به گزارش سرويس فن‌آوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، اين كارخانه پنجمين پايگاه ساخت توشيبا در يوكياشي در غرب ژاپن خواهد بود و ابتدا براي توليد تراشه‌هاي فلش ناند مورد استفاده قرار مي‌گيرد اما اين شركت قصد دارد فعاليت آن را به ساخت نوع جديدي از حافظه‌هاي سه‌بعدي كه در آن‌ها تراشه‌ها و قطعات به‌صورت عمودي چيده شده‌اند، توسعه دهد.
فلش ناند فراوان‌ترين نوع حافظه مورد استفاده در حال حاضر است كه در داخل حافظه‌هاي USB و كارت‌هاي حافظه يافت مي‌شود و هم‌چنين در دستگاه‌هايي مانند دوربين‌هاي ديجيتالي، تلفن‌هاي همراه و درايوهاي سخت جامد به‌كار برده مي‌شود.
سازندگان نيمه‌رسانا به‌طور دائم در تلاش براي بهبود ظرفيت تراشه‌هايشان از طريق فشرده‌سازي قطعات هستند اما مهندسان از اينكه روش مذكور ممكن است با محدوديت مواجه شود، نگرانند زيرا همچنانكه سلول‌هاي حافظه كوچك‌تر مي‌شوند تداخل الكتريكي بين آن‌ها دردسرسازي را شروع كرده است.
اين مشكل توجه را به سمت حافظه سه‌بعدي جلب كرده زيرا مهندسان با ساختن عمودي علاوه بر افقي مي‌توانند هم‌چنان به افزايش ظرفيت تراشه بدون كوچك‌تر كردن سلول‌هاي حافظه ادامه دهند.
به گفته رييس و مدير اجرايي توشيبا، اين شركت ساخت كارخانه جديد را در ماه ژوئيه امسال آغاز مي‌كند و انتظار مي‌رود نخستين مرحله توليد فلش ناند در بهار سال آينده آغاز شده و اندكي پس از آن خط توليد تراشه‌هاي سه‌بعدي در اين كارخانه راه‌اندازي مي‌شود.
توشيبا و سان ديسك در سال 2008 كار برروي ساخت تراشه‌هاي حافظه سه‌بعدي را آغاز كردند و آغاز ساخت اين كارخانه گام مهمي به سوي توليد آينده اين تراشه‌ها خواهد بود.
