نخستين تراشه‌ي حافظه‌ي فلش 20 نانومتر جهان ساخته شد
سد توليد فلش 20 نانومتري با مجموعه جديد تراشه‌هاي حافظه طراحي شده سامسونگ براي كارت‌هاي اس دي شكسته شد.
به گزارش سرويس فن‌آوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، فن‌آوري ساخت 20 نانومتر سامسونگ را قادر مي‌سازد، تراشه‌هاي حافظه فلش ناند MLC (سلول چند لايه) 34 گيگابيتي يا چهار گيگابايتي توليد كند. انتظار مي‌رود كارت‌هاي حافظه اس دي جديد توليد شده با اين فن‌آوري تا پايان سال جاري وارد بازار شوند.
تراشه‌هاي فلش 20 نانومتري سامسونگ به اين شركت امكان مي‌دهد، به‌طور همزمان ظرفيت حافظه را دو برابر كرده، سرعت را افزايش داده و هزينه‌هاي توليد را پايين بياورد. حافظه فلش 20 نانومتر به سازندگان دستگاه نيز امكان مي‌دهد تلفن هاي هوشمند و دستگاه‌هاي ديگر كوچك‌تري بسازند يا ظرفيت حافظه را در شكل‌هاي فعلي دو برابر كنند.
همچنين به همراه افزايش ظرفيت، تراشه‌هاي فلش 20 نانومتري كارآمدي را نيز افزايش مي‌دهند و اگرچه سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات كاملا سريع نمي‌شود اما هرگونه افزايش سرعتي مورد استقبال است.
به گفته رييس بخش حافظه سامسونگ، اين شركت تنها يك سال پس از اين كه توليد فلش ناند 30 نانومتري را آغاز كرد، نسل جديد ناند 20 نانومتري را ايجاد كرده كه از الزامات مشتريان اين شركت براي راهكارهاي مبتني بر فلش كارآمد و فشرده فراتر رفته است.
گسترش بازار فلش جنگ فن‌آوري را در بين سازندگان حافظه به دنبال داشته است. فن‌آوري تراشه جديد 25 نانومتري اينتل و ميكرون كه كمتر از سه ماه قبل رونمايي شده بود، اگرچه براي درايوهاي سخت جامد بزرگ‌تر طراحي شده اما ممكن است با اعلام خبر ساخت فن‌آوري جديد سامسونگ لطمه ببيند.
