همکاری سامسونگ و سان میکروسیستمز برای ساخت حافظه‌های فلش جدید
سرویس اخبار خارجی ایتنا - سامسونگ با همکاری سان میکروسیستمز کار بر روی ساخت نوعی سلول تک سطحی فلش مموری NAND مخصوص استفاده در درایوهای حالت جامد را آغاز نمود.
[ برای مشاهده لینک ، با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
در اطلاعیه مشترکی که از جانب این دو شرکت منتشر شده آمده است حافظه‌های NAND جدید که از نوع SLC می‌باشد از نظر تعداد دفعات نوشتن و خواندن، پنج برابر بیشتر از SLCهای استاندارد عمر می‌کنند.
این حافظه‌ها برای بکارگیری در درایوهای SSD طراحی می‌شوند و قابلیت کار در ابزارهایی که اطلاعات را در حجم وسیعی بر روی درایو نوشته و از روی آن می‌خوانند، دارا می‌باشد.
سامسونگ و سان میکروسیستمر این فناوری را با هدف بکارگیری در سیستم‌های حساسی مانند سرورها که باید بطور شبانه‌روزی به کار خود ادامه دهند، طراحی می‌نمایند.
نرم‌افزارها و برنامه‌هایی که احتمالاً بیشترین بهره را از این حافظه‌ها خواهند برد شامل برنامه‌های ویدیوی جریانی، نرم‌افزارهای پردازش اطلاعات با تراکنش بالا، موتورهای جست‌وجو و دیگر عملیات پرسرعت بر روی سرورها می‌باشند.
منبع:ایتنا
