حافظه های با تغییر فاز ؛ نسل آینده حافظه های الکترونیکی

پژوهشگران آمریکایی در تحقیقات خود نشان دادند که حافظه های نسل آینده می توانند از نوع حافظه های با تغییر فاز باشند. به گزارش خبرگزاری مهر، محققان مرکز تکنولوژی کالیفرنیا در سنت کلر در تحقیقات خود دریافتند فرایندی که می تواند در ارائه اطلاعات "صفر و یک" در بسیاری ترانزیستورها، "سی دی" و "دی وی دی" های برگشت پذیر و با قابلیت دوباره نویسی مفید باشد می تواند در تولید نسل آینده حافظه های الکترونیکی مورد استفاده قرار گیرد.
نتایج این بررسیها در مقاله ای با عنوان "تغییر فاز مواد برای حافظه های الکترونیکی" در تازه ترین شماره مجله "ساینس" منتشر شده است.
در سالهای اخیر در دستگاههای الکترونیکی مصرفی مثل تلفنهای همراه، پخش کننده های موسیقی دیجیتال و دوربینهای دیجیتالی ابزاری که برای ذخیره اطلاعات مورد استفاده قرار می گیرد به عنوان "حافظه فلاش" شناخته می شود.
حافظه های فلاش با وارد کردن بارالکتریکی به یک ترانزیستور عمل می کنند و می توانند در دوره های طولانی از این اطلاعات نگهداری کنند.
در حال حاضر نوع جدیدی از این دستگاهها در حال توسعه است که از حافظه های با تغییر فاز ساخته شده اند. این حافظه ابداعی دیجیتال در حقیقت ترکیبی از اشکال قدیمی تر ذخیره اطلاعات است و با ایجاد یک تغییر فیزیکی برگشت پذیر در ساختار اصلی مواد ترازیستورها عمل می کند.
ساختارهای ترانزیستورهای متفاوت مقاومت الکتریکی مختلفی دارند و تغییرات این پارامتر فیزیکی می تواند واحد اطلاعات "صفر و یک" و حتی حالت حافظه چندگانه را نشان دهد.
در حقیقت این نوع جدید حافظه ها می تواند جایگزین حافظه های فلاش در ابزارهای الکترونیکی آینده شوند.


منبع:خبرگزاری مهر