IBM با استفاده از ژرمانيوم كارايي
IBM تكنيك جديدي براي بهبود كارايي ترانزيستورها ارائه داد. اين تكنيك به اين شركت در ساخت چيپ هاي كوچكتر و قدرتمندتر كمك خواهد كرد.
به گزارش بخش خبر شبكه
[ برای مشاهده لینک ، با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
، به نقل از PC World، شركت IBM روش جديدي را كشف كرده است كه در آن از عنصر ژرمانيوم براي اصلاح جريان الكترون هاي موجود در ترانزيستورها استفاده مي كند. لايه اي از ژرمانيوم فشرده مستقيما در كانال ترانزيستور يا منطقه محل عبور جريان الكتريكي به كار مي رود تا فضاي اضافي براي الكترون هاي درون كانال فراهم كند.
كارايي ترانزيستورهايي كه با لايه ژرمانيوم ساخته شده اند سه برابر ترانزيستورهاي متداول است. ژرمانيوم قبلا نيز در دوزهاي كمتر در يك تكنيك صنعتي به نام سيليكن فشرده توسط چندين شركت از جمله IBM استفاده شده بود. در اين تكنيك مخلوطي از ژرمانيوم و سيليكون در مجاورت لايه اي از سيليكون خالص قرارداده مي شد سيليكون خالص براي اينكه با اتم هاي ژرمانيوم- سيليكون در يك رديف قرار بگيرند منبسط مي شدند و بنابراين راه وسيع تري براي عبور الكترون هاي بيشتر باز مي شد.
محققان مدتها پيش فهميده بودند كه ژرمانيوم نسبت به سيليكون رساناي الكتريسيته بهتري است اما نمي توانستند ژرمانيوم فشرده را براي استفاده در چيپ ها بسازند. اما IBM اينكار را انجام داد و نشان داد كه چطور مي توان لايه ژرمانيوم را فشرده كرد تا از طريق كارايي چيپ ها را بالا برد.
