عرضه پردازنده‌هاي 45 نانومتري از سوي Intel
شركت Intel به عنوان بزرگترين شركت سازنده پردازنده‌هاي PC،
نسل جديد پردازنده‌هاي خود را با بهره‌گري از تكنولوژي 45
نانومتري به زودي به بازار عرضه خواهد كرد. به دليل
محدوديت‌هاي موجود در پروسه ساخت 65 نانومتري، كه امورزه در
پردازنده‌هاي Intel مورد استفاده قرار مي‌گيرد، اين شركت تصميم
گرفته است تا به تدريج و از اواخر سال 2007 پردازنده‌هاي 65
نانومتري سري Core 2 خود را با انواع 45 نانومتري جايگزين كند.
با توجه به مشكلاتي كه براي انتقال به اين تكنولوژي بر سر راه
Intel قرار داشته، اين شركت مجبور به استفاده از تكنولوژي‌هاي
جديد متعددي شده‌است تا قادر باشد ترانزيستورهايي تا اين حد
كوچك ايجاد كرده و آنها را در فركانس‌هاي بالا مورد استفاده
قرار دهد.
يكي از مهمترين تغييراتي كه Intel براي دستيابي به اين
تكنولوژي به آن دست زده است، استفاده از ترانزيستورهايي است كه
با نام ترانزيستورهاي HK-MG شناخته ميشود. براي درك كامل
مزاياي ترانزيستورهاي HK-MG بايد نگاهي به ساختمان ترانزيستور
داشته باشيم. ترانزيستورها اصولا سوييچ‌هاي بسيار كوچكي هستند
كه مي‌توانند در دو وضعيت روشن يا خاموش قرار بگيرند. پايه
گيت، پايه‌اي است كه براي روشن و با خاموش كردن ترانزيستور
مورد استفاده قرار مي‌گيرد. اين پايه توسط يك لايه عايق از
ديگر بخش‌هاي ترانزيستور ايزوله شده است. وظيفه اين عايق
جداسازي گيت از ديگر بخش‌ها در هنگام برقراري جريان الكتريكي
است. اما معمولا يك جريان بسيار اندك كه با نام جريان نشتي نيز
شناخته ميشود، به طور مداوم از اين لايه عبور مي‌كند. اصولا
هرچه اندازه ترانزيستور كوچكتر شود، بايد قطر اين لايه
جداكننده نيز كمتر شود و هرچه قطر اين لايه كمتر شود، جريان
نشتي نيز افزايش حواهد يافت. البته جريان فوق داراي اندازه
بسيار كوچكي است اما وقتي در ميليون‌ها ترانزيستور ضرب شود،
مي‌تواند ميزان قابل توجهي از توان الكتريكي را به هدر داده و
گرماي بسيار زيادي را توليد كند. Intel براي كاهش اين جريان
نشتي به جاي استفاده از دي‌اكسيد سيليكون، از موادي بر پايه
عنصر هافنيوم براي ساخت اين لايه جدا كننده استفاده كرده است.
با استفاده از اين عنصر علاوه بر كاهش جريان نشتي تا 10 برار
مي‌توان لايه جدا كننده را با اندازه‌هاي كوچكتري نيز توليد
نمود. علاوه‌بر اين به دليل ناسازگاري اين لايه جديد با
گيت‌هاي سيليكوني قبلي، اينتل مجبور به استفاده از گيت‌هاي
فلزي در ترانزيستورهاي 45 نانومتري خود شده است.
اين تغييرات سبب شده است تا پردازنده‌هاي جديدي كه با استفاده
از تكنولوژي 45 نانومتري و بهره گيري از اين ترانزيستورهاي
جديد ساخته شده‌اند، داراي چگالي ترانزيستوري تا دوبرابر انواع
65 نانومتري باشند. علاوه‌براين توان مورد نياز براي سوييچ
كردن ترانزيستورها تا 30 درصد كاسته شده و سرعت سوييچ آنها
نيز تا حدود 20 درصد افزايش يافته است. در نهايت همانظور كه
گفته شد جريان نشتي پايه گيت تا 10 برابر و جريان نشتي
پايه‌هاي درين و سورس نيز تا 5 برابر در اين ترانزيستورهاي
كاهش يافته است. با استفاده از اين تكنولوژي Intel قادر خواهد
بود تا پردازنده‌هايي سريع‌تر، كم مصرف‌تر و ارزان قيمت‌تر
توليد كند.
شركت Intel براي پشتيباني از پردازنده‌هاي جديد 45 نانومتري
خود، چيپ‌ست‌هاس سري P35/P31/G33/G31 را معرفي نموده است. با
توجه به توان بالاي پردازنده‌هاي جديد 45 نانومتري Intel شركت
و كارايي بالاي چيپ‌ست‌هاي جديد اين شركت، تعداد زيادي از
سازندگان مادربرد اقدام به معرفي محصولات جديد خود بر پايه
آنها كرده‌اند. شركت GIGABYTE به عنوان يكي از بزرگترين توليد
كنندگان مادربرد، اقدام به معرفي مدل‌هاي متنوعي بر پايه اين
چيپ‌ست‌ها نموده‌است. در اين ميان 13 مدل مادربرد با استفاده
از چيپ‌ست P35، 2 مدل بر پايه چيپ‌ست P31، 4 مدل بر پايه
چيپ‌ست G33 و يك مدل نيز بر پايه چيپ‌ست G31 بازار عرضه
كرده‌اند. اين مادربردها علاوه بر پشتيباني از از پردازنده‌هاي
جديد 45 نانومتري، از نسخه دوم طراحي با طول عمر بالاي
GIGABYTE نيز استفاده كرده و در نتيجه داراي ثبات، طول عمر و
كارايي بسيار بالايي نيز مي‌باشند.
