مشاهده نسخه کامل
: 'POP'
12-12-2006, 17:55
شركت "آي*بي*ام" با همكاري دو شركت ديگر موفق به توليد تراشه حافظه جديدي به نام حافظه "تغيير فازي" يا "پي*رم"( (PRAMشده است كه مي*تواند در آينده جايگزين حافظه*هاي "فلش" و هاردديسك*ها شود.
به گزارش سايت اينترنتي "Techweb"، شركت "آي*بي*ام" روز دوشنبه اعلام كرد اين شركت به همراه دو شركت "كيموندا" و "مكرونيكس" موفق به توليد تراشه حافظه جديدي شده كه سرعت نوشتن و خواندن اطلاعات در نمونه اوليه آن ۵۰۰برابر سرعت حافظه*هاي "فلش" امروزي است و مصرف برق در آن نيز ۵۰درصد كمتر از حافظه*هاي فلش است.
مدارهاي مورد استفاده در اين تراشه، بسيار ظريف و داراي ابعاد تنها ۳ نانومتر در ۲۰نانومتر هستند. محققان براي ساخت تراشه حافظه "تغيير فازي" از يك آلياژ نيمه*هادي جديد به نام "ژرمنيوم آنتي*موني" استفاده كرده*اند.
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
نمونه اوليه تراشه جديد توليدي اين سه شركت در همايش تجهيزات الكترونيكي موسسه مهندسي الكترونيك و مهندسي برق آمريكا ( (IEEEدر شهر سانفرانسيسكو در هفته جاري به نمايش درخواهد آمد.
تراشه "تغيير فازي"، همانند حافظه*هاي فلش و هاردديسكها جزو انواعي از حافظه*هاي رايانه*اي است كه پس از قطع برق نيز قادر به نگهداري اطلاعات در خود هستند.
هم*اكنون حافظه*هاي "فلش" به وفور در دوربين*هاي ديجيتالي و دستگاه*هاي "ام*پي*تري*پلير" مورد استفاده قرار مي*گيرند و از آنها به عنوان جايگزين نهايي هاردديسك*ها ياد مي*شود، اما فرايند ساخت همين حافظه*هاي "فلش" نيز داراي محدوديتهاي مهندسي است كه تا چند سال ديگر امكان توليد حافظه*هاي فلش بهينه*تر ممكن نخواهد بود.
اين به آن علت است كه از لحاظ نظري ساخت حافظه*هاي فلش با فناوري ظريف*تر از ۴۵نانومتري ممكن نيست و از آنجا كه تا چند سال ديگر نخستين حافظه*هاي فلش ۴۵نانومتري نيز روانه بازار مي*شوند، عملا اين قبيل حافظه*ها به پايان عمر خود نزديك مي*شوند.
از سوي ديگر ساختار دروني هر حافظه "فلش" پس از حدود ۱۰۰هزار بار خواندن و نوشتن اطلاعات كم*كم تغيير شكل داده و حافظه فلش از كار مي*افتد و اين درحالي است كه حافظه*هاي جديد "تغيير فازي" داراي عمر بسيار بالاتري خواهند بود.
هنوز زمان دقيق ورود تراشه*هاي "تغيير فازي" گروه "آي*بي*ام - كيموندا- مكرونيكس" به بازار مشخص نشده است.
;)
irna.ir
betanews.com
&...
به گزارش سايت اينترنتي "Techweb"، شركت "آي*بي*ام" روز دوشنبه اعلام كرد اين شركت به همراه دو شركت "كيموندا" و "مكرونيكس" موفق به توليد تراشه حافظه جديدي شده كه سرعت نوشتن و خواندن اطلاعات در نمونه اوليه آن ۵۰۰برابر سرعت حافظه*هاي "فلش" امروزي است و مصرف برق در آن نيز ۵۰درصد كمتر از حافظه*هاي فلش است.
مدارهاي مورد استفاده در اين تراشه، بسيار ظريف و داراي ابعاد تنها ۳ نانومتر در ۲۰نانومتر هستند. محققان براي ساخت تراشه حافظه "تغيير فازي" از يك آلياژ نيمه*هادي جديد به نام "ژرمنيوم آنتي*موني" استفاده كرده*اند.
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
نمونه اوليه تراشه جديد توليدي اين سه شركت در همايش تجهيزات الكترونيكي موسسه مهندسي الكترونيك و مهندسي برق آمريكا ( (IEEEدر شهر سانفرانسيسكو در هفته جاري به نمايش درخواهد آمد.
تراشه "تغيير فازي"، همانند حافظه*هاي فلش و هاردديسكها جزو انواعي از حافظه*هاي رايانه*اي است كه پس از قطع برق نيز قادر به نگهداري اطلاعات در خود هستند.
هم*اكنون حافظه*هاي "فلش" به وفور در دوربين*هاي ديجيتالي و دستگاه*هاي "ام*پي*تري*پلير" مورد استفاده قرار مي*گيرند و از آنها به عنوان جايگزين نهايي هاردديسك*ها ياد مي*شود، اما فرايند ساخت همين حافظه*هاي "فلش" نيز داراي محدوديتهاي مهندسي است كه تا چند سال ديگر امكان توليد حافظه*هاي فلش بهينه*تر ممكن نخواهد بود.
اين به آن علت است كه از لحاظ نظري ساخت حافظه*هاي فلش با فناوري ظريف*تر از ۴۵نانومتري ممكن نيست و از آنجا كه تا چند سال ديگر نخستين حافظه*هاي فلش ۴۵نانومتري نيز روانه بازار مي*شوند، عملا اين قبيل حافظه*ها به پايان عمر خود نزديك مي*شوند.
از سوي ديگر ساختار دروني هر حافظه "فلش" پس از حدود ۱۰۰هزار بار خواندن و نوشتن اطلاعات كم*كم تغيير شكل داده و حافظه فلش از كار مي*افتد و اين درحالي است كه حافظه*هاي جديد "تغيير فازي" داراي عمر بسيار بالاتري خواهند بود.
هنوز زمان دقيق ورود تراشه*هاي "تغيير فازي" گروه "آي*بي*ام - كيموندا- مكرونيكس" به بازار مشخص نشده است.
;)
irna.ir
betanews.com
&...