مشاهده نسخه کامل
: wichidika
30-12-2017, 13:12
آغاز تولید انبوه رم های کم مصرف ۸ گیگابایتی و ۱۰ نانومتری [ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ] ([ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ])
شرکت سامسونگ تولید انبوه نوع جدیدی از DRAM را برای استفاده در رایانه ها آغاز کرده که در تولید آنها از معماری ۱۰ نانومتری کمک گرفته شده است. به گزارش خبرگزاری مهر ([ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]) به نقل از وی تری، DDR۴ DRAM های تازه سامسونگ با ظرفیت ۸ گیگابایت می توانند در نسل جدید رایانه ها به کار گرفته شوند. افزایش سرعت و توان پردازش در کنار کاهش مصرف انرژی مهم ترین مزیت استفاده از تراشه های DRAM تازه سامسونگ است که ابعاد کوچکی نیز دارند.
سامسونگ با صدور اطلاعیه ای در این زمینه مدعی شده که تولید DRAM های جدید بسیاری از موانع در حوزه تولید حافظه برای رایانه های شخصی را برطرف کرده است.
این شرکت مدعی است بهره وری رایانه ها در صورت استفاده از حافظه های یادشده تا ۳۰ درصد بیشتر می شود و میزان مصرف برق نیز با نصب آنها تا ۱۵ درصد کاهش می یابد.
تغییر در طراحی مدارهای این تراشه حافظه عامل اصلی این دستاورد توصیف شده است. طراحی مذکور قرار است در برخی تراشه های حافظه دیگر مانند DDR۵، HBM۳، LPDDR۵ و GDDR۶ به کار گرفته شود.
شرکت سامسونگ تولید انبوه نوع جدیدی از DRAM را برای استفاده در رایانه ها آغاز کرده که در تولید آنها از معماری ۱۰ نانومتری کمک گرفته شده است. به گزارش خبرگزاری مهر ([ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]) به نقل از وی تری، DDR۴ DRAM های تازه سامسونگ با ظرفیت ۸ گیگابایت می توانند در نسل جدید رایانه ها به کار گرفته شوند. افزایش سرعت و توان پردازش در کنار کاهش مصرف انرژی مهم ترین مزیت استفاده از تراشه های DRAM تازه سامسونگ است که ابعاد کوچکی نیز دارند.
سامسونگ با صدور اطلاعیه ای در این زمینه مدعی شده که تولید DRAM های جدید بسیاری از موانع در حوزه تولید حافظه برای رایانه های شخصی را برطرف کرده است.
این شرکت مدعی است بهره وری رایانه ها در صورت استفاده از حافظه های یادشده تا ۳۰ درصد بیشتر می شود و میزان مصرف برق نیز با نصب آنها تا ۱۵ درصد کاهش می یابد.
تغییر در طراحی مدارهای این تراشه حافظه عامل اصلی این دستاورد توصیف شده است. طراحی مذکور قرار است در برخی تراشه های حافظه دیگر مانند DDR۵، HBM۳، LPDDR۵ و GDDR۶ به کار گرفته شود.