مشاهده نسخه کامل
: tanha.2011
06-05-2012, 11:54
ایتنا- حافظه‌هایی که در آلیاژ تغییر فاز آنها از الماس استفاده شده است، می‌تواند ۱۰۰ برابر سریع‌تر از دیگر حافظه‌های موجود به انتقال داده‌ها بپردازند.
مهندسان دانشگاه جان هاپکینز موفق شده‌اند با استفاده از الماس، آلیاژی را که در تولید حافظه‌های رایانه از آن استفاده می‌شد، تغییر دهند و از این طریق ظرفیت ذخیره و سرعت انتقال داده در آنها را تا حد قابل توجهی افزایش دهند.
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
به گزارش ایتنا به نقل از همکاران‌سیستم، مهندسان دانشگاه جان هاپکینز که دستاورد خود را به صورت مفصل در نشریه آکادمی ملی علوم در آمریکا (PNAS) منتشر کرده‌اند، توانسته‌اند آلیاژی را که برای تغییر فاز در حافظه‌های رایانه به کار می‌رفت، تغییر دهند.
این آلیاژ تاکنون از فلزات ژرمانیوم، آنتیموان و تلوریوم ساخته می‌شد.
این آلیاژ را به این جهت آلیاژ تغییر فاز نامیده‌اند که وقتی در معرض گرما قرار می‌گیرد اتم‌های تشکیل دهنده آن نظم قبلی خود را از دست می‌دهند و با تغییر آرایش خود در رده‌های طویل نظم می‌یابند.
بر اساس گزارش وب‌سایت pcworld، مهندسان اعلام کرده‌اند حافظه‌هایی که در آلیاژ تغییر فاز آنها از الماس استفاده شده است، می‌تواند ۱۰۰ برابر سریع‌تر از دیگر حافظه‌های موجود به انتقال داده‌ها بپردازند.
دانشمندان قابلیت رایت بر روی این حافظه‌ها را نیز بیش از صد هزار بار اعلام کرده‌اند.
دانشمندان ابراز امیدواری کرده‌اند این فناوری در پنج سال آینده وارد بازار شود و حجم حافظه رایانه‌ها را تا حد قابل ملاحظه‌ای افزایش دهد.
دانشمندان در این پژوهش متوجه شدند که با استفاده از قطعات الماس می‌توانند قابلیت‌های این آلیاژ را از حالت غیرمتبلور به حالت متبلور و بلورین تبدیل کنند و از این طریق حساسیت الکتریکی آن را تا ۴ درجه مغناطیسی کاهش دهند.
کاهش حساسیت این آلیاژ و حالت متبلور آن می‌تواند قابلیت ذخیره داده‌ها را افزایش دهد.
مهندسان دانشگاه جان هاپکینز موفق شده‌اند با استفاده از الماس، آلیاژی را که در تولید حافظه‌های رایانه از آن استفاده می‌شد، تغییر دهند و از این طریق ظرفیت ذخیره و سرعت انتقال داده در آنها را تا حد قابل توجهی افزایش دهند.
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
به گزارش ایتنا به نقل از همکاران‌سیستم، مهندسان دانشگاه جان هاپکینز که دستاورد خود را به صورت مفصل در نشریه آکادمی ملی علوم در آمریکا (PNAS) منتشر کرده‌اند، توانسته‌اند آلیاژی را که برای تغییر فاز در حافظه‌های رایانه به کار می‌رفت، تغییر دهند.
این آلیاژ تاکنون از فلزات ژرمانیوم، آنتیموان و تلوریوم ساخته می‌شد.
این آلیاژ را به این جهت آلیاژ تغییر فاز نامیده‌اند که وقتی در معرض گرما قرار می‌گیرد اتم‌های تشکیل دهنده آن نظم قبلی خود را از دست می‌دهند و با تغییر آرایش خود در رده‌های طویل نظم می‌یابند.
بر اساس گزارش وب‌سایت pcworld، مهندسان اعلام کرده‌اند حافظه‌هایی که در آلیاژ تغییر فاز آنها از الماس استفاده شده است، می‌تواند ۱۰۰ برابر سریع‌تر از دیگر حافظه‌های موجود به انتقال داده‌ها بپردازند.
دانشمندان قابلیت رایت بر روی این حافظه‌ها را نیز بیش از صد هزار بار اعلام کرده‌اند.
دانشمندان ابراز امیدواری کرده‌اند این فناوری در پنج سال آینده وارد بازار شود و حجم حافظه رایانه‌ها را تا حد قابل ملاحظه‌ای افزایش دهد.
دانشمندان در این پژوهش متوجه شدند که با استفاده از قطعات الماس می‌توانند قابلیت‌های این آلیاژ را از حالت غیرمتبلور به حالت متبلور و بلورین تبدیل کنند و از این طریق حساسیت الکتریکی آن را تا ۴ درجه مغناطیسی کاهش دهند.
کاهش حساسیت این آلیاژ و حالت متبلور آن می‌تواند قابلیت ذخیره داده‌ها را افزایش دهد.