مشاهده نسخه کامل
: wichidika
13-11-2011, 16:00
اينتل اعلام کرد که در نسل بعدي پردازنده‌هاي خود از ترانزيستور‌هايي براي پردازش‌هاي سه‌بعدي استفاده خواهد کرد.
به گزارش سرويس فناوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، طبق اعلام اينتل با استفاده از اين فناوري در پردازنده‌هاي نسل جديد، مصرف انرژي در آن‌ها پايين‌تر آمده و تا 37 درصد بازده کارايي بالاتر مي‌رود.
هرچند که هنوز قيمت اين پردازنده و تنوع مدلي آن مشخص نشده است اما انتظار مي‌رود با شروع سال 2012 اين پردازنده‌ها نيز به بازار راه پيدا کنند.
ظاهرا قرار است اين پردازنده‌ها با نام کد “آي‌وي بريج”IVYBRIDGE توزيع شوند که از ويژگي‌هاي بارز آن‌ها مي‌توان به استفاده از فناوري ساخت 22 نانومتري در توليد اشاره کرد.
اينتل در معرفي اين فناوري از نام Tri-Gate 3D Transistors استفاده مي‌کند که علت آن نيز تغييراتي در طراحي اين ترانزيستور نسبت به ترانزيستور‌هاي معمولي است که از اساسي‌ترين تغييرات آن مي‌توان به جايگزين شدن يک گيت سه‌بعدي با گيت معمولي ترانزيستورها و بلندتر شدن يک لبه عمودي از پايه سيليکون اشاره کرد.
انتهاي پيام
به گزارش سرويس فناوري اطلاعات خبرگزاري دانشجويان ايران (ايسنا)، طبق اعلام اينتل با استفاده از اين فناوري در پردازنده‌هاي نسل جديد، مصرف انرژي در آن‌ها پايين‌تر آمده و تا 37 درصد بازده کارايي بالاتر مي‌رود.
هرچند که هنوز قيمت اين پردازنده و تنوع مدلي آن مشخص نشده است اما انتظار مي‌رود با شروع سال 2012 اين پردازنده‌ها نيز به بازار راه پيدا کنند.
ظاهرا قرار است اين پردازنده‌ها با نام کد “آي‌وي بريج”IVYBRIDGE توزيع شوند که از ويژگي‌هاي بارز آن‌ها مي‌توان به استفاده از فناوري ساخت 22 نانومتري در توليد اشاره کرد.
اينتل در معرفي اين فناوري از نام Tri-Gate 3D Transistors استفاده مي‌کند که علت آن نيز تغييراتي در طراحي اين ترانزيستور نسبت به ترانزيستور‌هاي معمولي است که از اساسي‌ترين تغييرات آن مي‌توان به جايگزين شدن يک گيت سه‌بعدي با گيت معمولي ترانزيستورها و بلندتر شدن يک لبه عمودي از پايه سيليکون اشاره کرد.
انتهاي پيام