مشاهده نسخه کامل
: Sphinx
29-10-2005, 12:18
آيا رايانه‌هايي كه به سرعت روشن مي‌شوند، به واقعيت خواهند پيوست؟ متخصصان شركت NanTero معتقدند به لطف تراشه‌هاي حافظه نانولوله‌يي آنها، پاسخ اين سوال مطمئنا مثبت است.
به گزارش سرويس «فن‌آوري» خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، شركت Nantero محصول خود را در كنفرانس فن‌آوري‌هاي نوظهور در كمبريج ماساچوست ارائه كرد.
اين شركت از لوله‌هاي پيچيده شده كربني براي ساخت ترانزيستور استفاده كرده است. ترانزيستورها كليدهاي روشن - خاموشي هستند كه اطلاعات ديجيتالي را درون تراشه‌هاي رايانه‌يي جابه‌جا مي‌كنند.
رشته‌هايي از نانولوله‌هاي كربني به سمت بالا و پايين حركت كرده و بدين ترتيب صفر و يك‌ها را در كد دودويي ايجاد مي‌كنند. اين نانولوله‌ها، حتي زماني كه رايانه خاموش است، بر خلاف الكترون‌ها در ترانزيستورهاي الكتريكي معمولي، در جاي خود ثابت مي‌مانند.
شركت Nantero، سال‌ها بر روي اين ايده كار كرده است.
بنابر اعلام اين شركت، آنها توانسته‌اند پايه‌اي براي فرآيند توليد ايجاد كرده و اين تراشه‌ها را به بازار مصرف نزديك‌تر كنند.
اين شركت موفق به ساخت ويفرهاي حلقوي به قطر 13 سانتي‌متر شده است كه مي‌تواند 10 گيگابيت اطلاعات را در خود ذخيره كند.
اين اندازه بسيار بزرگ‌تر از كارت‌هاي حافظه‌اي است كه امروزه مورد استفاده قرار مي‌گيرد، اما Greg Schmergel مدير اجرايي Nantero مي‌گويد: اين فن‌آوري با نام NRAM حافظه‌هايي ده برابر سريع‌تر از حافظه‌هاي فلش موجود، توليد مي‌كند كه اين مقدار، بالاترين سرعت موجود است.
حافظه‌هاي غيرفرار كه در حال حاضر به صورت حافظه‌هاي فلش در بازار موجود مي‌باشند، حافظه‌هايي هستند كه حتي زماني كه به منبع الكتريسيته وصل نيستند، اطلاعات را در خود نگه مي‌دارند. حافظه‌هاي فلش، الكترون‌ها را در سل‌هاي جداگانه به نحوي نگه مي‌دارند كه به صورت صفر و يك عمل مي‌كنند. به گزارش ايسنا از ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، اين نوع حافظه در دستگاه‌هاي مختلفي همچون MP3 Player و كارت‌هاي حافظه دوربين‌هاي ديجيتالي به كار مي‌روند.
همچنين فناوري RAM فرومغناطيسي (FRAM) موجب توليد حافظه‌هاي سريعي مي‌شود كه پايدار نيستند. اين فن‌آوري از جهت‌گيري اتم‌هاي بلور براي ذخيره‌سازي اطلاعات استفاده مي‌كند.
اما هر دو نوع تراشه فلش و FRAM با گذشت زمان مستهلك شده و قابليت ذخيره اطلاعات را از دست مي‌دهند. Schmergel مي‌گويد: تراشه FRAM نمي‌تواند به كوچكي تراشه NRAM باشد.
به گفته اين دانشمند، تراشه‌هاي او مي‌توانند در سفينه‌هاي فضايي مورد استفاده قرار بگيرند. تشعشعات خارج از جو مي‌توانند بر عملكرد الكترون‌هايي كه داده‌ها را در حافظه‌هاي فلش ذخيره مي‌كنند، تاثير بگذارند؛ در نتيجه بايد اين نوع تراشه را با سرب محافظت كرد.
به گزارش ايسنا، NRAM اين مشكل را نداشته و در نتيجه مي‌توان با حجم كمتري از موادي كه در مدار قرار مي‌گيرد، همان قدرت پردازش را به دست آورد.
فرايند ساخت شامل معلق كردن روبان‌هاي نانولوله‌اي مابين نقاط بالاي يك تراشه سيليكوني است كه بدين ترتيب، پل‌هاي كوچكي بر روي الكترودهايي كه در پايين قرار دارند، تشكيل مي‌شود.
زماني كه باري اعمال مي‌شود، اين پل‌هاي نانولوله‌اي خم شده و در تماس با الكترود قرار مي‌گيرند. اين تغيير شكل پل نانولوله‌اي تا زماني كه جريان قطع نشده است، باقي مي‌ماند.
به گزارش سرويس «فن‌آوري» خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، شركت Nantero محصول خود را در كنفرانس فن‌آوري‌هاي نوظهور در كمبريج ماساچوست ارائه كرد.
اين شركت از لوله‌هاي پيچيده شده كربني براي ساخت ترانزيستور استفاده كرده است. ترانزيستورها كليدهاي روشن - خاموشي هستند كه اطلاعات ديجيتالي را درون تراشه‌هاي رايانه‌يي جابه‌جا مي‌كنند.
رشته‌هايي از نانولوله‌هاي كربني به سمت بالا و پايين حركت كرده و بدين ترتيب صفر و يك‌ها را در كد دودويي ايجاد مي‌كنند. اين نانولوله‌ها، حتي زماني كه رايانه خاموش است، بر خلاف الكترون‌ها در ترانزيستورهاي الكتريكي معمولي، در جاي خود ثابت مي‌مانند.
شركت Nantero، سال‌ها بر روي اين ايده كار كرده است.
بنابر اعلام اين شركت، آنها توانسته‌اند پايه‌اي براي فرآيند توليد ايجاد كرده و اين تراشه‌ها را به بازار مصرف نزديك‌تر كنند.
اين شركت موفق به ساخت ويفرهاي حلقوي به قطر 13 سانتي‌متر شده است كه مي‌تواند 10 گيگابيت اطلاعات را در خود ذخيره كند.
اين اندازه بسيار بزرگ‌تر از كارت‌هاي حافظه‌اي است كه امروزه مورد استفاده قرار مي‌گيرد، اما Greg Schmergel مدير اجرايي Nantero مي‌گويد: اين فن‌آوري با نام NRAM حافظه‌هايي ده برابر سريع‌تر از حافظه‌هاي فلش موجود، توليد مي‌كند كه اين مقدار، بالاترين سرعت موجود است.
حافظه‌هاي غيرفرار كه در حال حاضر به صورت حافظه‌هاي فلش در بازار موجود مي‌باشند، حافظه‌هايي هستند كه حتي زماني كه به منبع الكتريسيته وصل نيستند، اطلاعات را در خود نگه مي‌دارند. حافظه‌هاي فلش، الكترون‌ها را در سل‌هاي جداگانه به نحوي نگه مي‌دارند كه به صورت صفر و يك عمل مي‌كنند. به گزارش ايسنا از ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، اين نوع حافظه در دستگاه‌هاي مختلفي همچون MP3 Player و كارت‌هاي حافظه دوربين‌هاي ديجيتالي به كار مي‌روند.
همچنين فناوري RAM فرومغناطيسي (FRAM) موجب توليد حافظه‌هاي سريعي مي‌شود كه پايدار نيستند. اين فن‌آوري از جهت‌گيري اتم‌هاي بلور براي ذخيره‌سازي اطلاعات استفاده مي‌كند.
اما هر دو نوع تراشه فلش و FRAM با گذشت زمان مستهلك شده و قابليت ذخيره اطلاعات را از دست مي‌دهند. Schmergel مي‌گويد: تراشه FRAM نمي‌تواند به كوچكي تراشه NRAM باشد.
به گفته اين دانشمند، تراشه‌هاي او مي‌توانند در سفينه‌هاي فضايي مورد استفاده قرار بگيرند. تشعشعات خارج از جو مي‌توانند بر عملكرد الكترون‌هايي كه داده‌ها را در حافظه‌هاي فلش ذخيره مي‌كنند، تاثير بگذارند؛ در نتيجه بايد اين نوع تراشه را با سرب محافظت كرد.
به گزارش ايسنا، NRAM اين مشكل را نداشته و در نتيجه مي‌توان با حجم كمتري از موادي كه در مدار قرار مي‌گيرد، همان قدرت پردازش را به دست آورد.
فرايند ساخت شامل معلق كردن روبان‌هاي نانولوله‌اي مابين نقاط بالاي يك تراشه سيليكوني است كه بدين ترتيب، پل‌هاي كوچكي بر روي الكترودهايي كه در پايين قرار دارند، تشكيل مي‌شود.
زماني كه باري اعمال مي‌شود، اين پل‌هاي نانولوله‌اي خم شده و در تماس با الكترود قرار مي‌گيرند. اين تغيير شكل پل نانولوله‌اي تا زماني كه جريان قطع نشده است، باقي مي‌ماند.