براي خريد پردازنده دست نگهداريد! توليد Penryn اين هفته كليد مي خورد...

[satttanism]

کمپانی اینتل (Intel) اعلام کرد تاریخ رسمی ارائه پردازنده ی "Penryn" روز 11 نوامبر سال جاری برابر با 20 آبان ماه خواهد بود. این مدل سی پی یو ها دارای 12 مگابایت حافظه پنهان (Cache) خواهند بود و متوسط سرعت آنها از 2 تا 2.16 گیگاهرتز می باشد.

پردازنده های "Penryn" بر پایه پردازنده های چهار هسته ای خانواده Xeon ساخته شده اند و طبق آنچه در سایت رسمی اینتل نوشته شده است این شرکت قصد دارد در روز 11 نوامبر 7 مدل از این پردازنده ها را جهت خرده فروشی روانه بازار نماید.

پردازنده های "Penryn" چهار هسته ای از نظر نام گذاری به دو دسته تقسیم شده اند؛ استاندارد "E" و "X" که به ترتیب معرف داشتن 80 و 120 وات TDP می باشند. همچنین، مدل پیشرفته تر این پردازنده ها که دارای بیش از 120 وات TDP می باشد و با استاندارد "L" شناخته می شود تا نیمه نخست سال 2008 میلادی ارائه نخواهد شد.

در زیر لیست قیمت جهانی این پردازنده نوشته شده است که ارزانترین مدل E5405 با قیمت 209 دلار می باشد.

مدل: X5460 سرعت 3.16 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 1,172 دلار
مدل: E5450 سرعت 3.00 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 851 دلار
مدل: E5440 سرعت 2.83 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 690 دلار
مدل: E5430 سرعت 2.83 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 455 دلار
مدل: E5420 سرعت 2.50 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 316 دلار
مدل: E5410 سرعت 2.33 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 256 دلار
مدل: E5405 سرعت 2.00 GHz حافظه پنهان 12MB قیمت 209 دلار

منبع خبر: WinBeta.Net (نقل از dailytech.com)

[ocz]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[ocz]

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]


توليد ريزتراشه‌هايي كه مدارات آن‌ها يك‌سوم كوچك‌تر از ريزتراشه‌هاي قبلي هستند، هفته‌ي جاري از سوي اينتل آغاز مي‌شود.

اينتل در كارخانه‌ي جديد سه ميليارد دلاري خود به نام Fab32 توليد تراشه‌اي را آغاز خواهد كرد كه به نام پنرين شناخته شده و مدارات آن در ابعاد 45 نانومتر ساخته شده‌اند؛ تراشه‌هاي قبلي در ابعاد 65 نانومتر ساخته شده بودند.



[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]


مدارهاي كوچك معمولا سرعت رايانش را افزايش داده و مصرف برق را كاهش مي‌دهد، به علاوه سازندگان تراشه‌ها شاهد بهبود توليد هستند زيرا مي‌توانند مدارهاي بيشتري را در يك محدوده از سيليكون جاي دهند.
تراشه‌هاي پنرين در رايانه‌هاي دسكتاپ، لپ‌تاپ و رايانه‌هاي سرور كه شبكه‌ها را اداره مي‌كنند به كار خواهد رفت و بر اساس برنامه‌ي فروش اين پردازنده از 12 نوامبر آغاز مي‌شود

پردازنده های تازه اينتل که Penryn نامگذاری شده است بيش از 400 ميليون ترانزيستور را روی تراشه ای که مساحت آن نصف يک تمبر باشد جای می دهد.
پنرين مانند پردازنده های فعلی به صورت دو هسته ای (dual-core) يا چهار هسته ای (quad-core) عرضه خواهد شد

"پنرين" كه بر اساس معماري ‪ ۴۵‬نانومتري ساخته مي‌شوند، در مقايسه با تراشه‌هاي ‪ ۶۵‬نانومتري فعلي همين شركت به ميزان ‪ ۴۰‬درصد از سرعت محاسباتي بالاتري برخوردارند.

"پتريك گلسينگر" يكي از مديران بلندپايه "اينتل" اعلام كرد تراشه‌هاي "پنرين" در هنگام نياز به توان محاسباتي بالا مثلا در بازي‌هاي رايانه‌اي پيشرفته و يا كاربردهاي گرافيكي، داراي كارايي بسيار بالاتري هستند.

شركت "اينتل" همچنين اعلام كرده‌است در سال ‪ ۲۰۰۸‬نيز خانواده ديگري از پردازنده‌هاي رايانه‌اي به نام Nehalem‬را با هشت هسته مجزا به بازار داده و جايگزين پردازنده‌هاي "پنرين" مي‌كند.







[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]










[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]





Intel News Release
Intel Opens First High-Volume 45nm Microprocessor Manufacturing Factory



New $3 Billion Facility to Produce Processors with Intel 45nm Hafnium-based High-k Metal Gate Transistors

CHANDLER, Ariz., Oct. 25, 2007 – Production of a new generation of microprocessors for PCs, laptops, servers and other computing devices officially began today inside of Intel Corporation's first high-volume 45 nanometer (nm) manufacturing factory in Chandler, Ariz.


Called "Fab 32," the $3 billion factory will use Intel's innovative 45nm process technology based on Intel's breakthrough in "reinventing" certain areas of the transistors inside its processors to reduce energy leakage. The 45nm transistors use a Hafnium-based high-k material for the gate dielectric and metal materials for the gate, and are so small that more than 2 million can fit on the period at the end of this sentence. Millions of these tiny transistors will make up Intel's faster, more energy efficient lead- and halogen-free processors for PCs, laptops and servers, as well as ultra low-power processors for mobile Internet and consumer electronic devices, and low-cost PCs. The first of the company's 45nm processors is scheduled to be introduced on Nov. 12

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]




"The opening of Fab 32 in Arizona today is a testament to Intel's continued investment in our most strategic asset -- the most advanced, environmentally friendly manufacturing network in the world," said Paul Otellini, Intel president and CEO. "The magic of 45nm and our new transistor design allow us to deliver high-performance, energy-efficient processors to our customers across the entire spectrum of market segments, from the most powerful servers to a variety of mobile devices and everything in between."


Fab 32 is Intel's sixth 300mm wafer factory and its second factory to produce 45nm chips. Intel first produced 45nm processors in its Oregon development facility, called D1D, in January and is now moving into high-volume production with the opening of Fab 32. Two additional 45nm, 300mm manufacturing factories are scheduled to open next year in Kiryat Gat, Israel (Fab 28) and Rio Rancho, N.M. (Fab 11x). Using 300mm wafers lowers the production cost per chip while diminishing overall use of resources.

With 184,000 square feet of clean room space, the completed Fab 32 structure measures 1 million square feet, so large that more than 17 U.S. football fields could fit inside the building. More than 1,000 employees will operate the factory in such positions as process, automation and yield engineers and senior manufacturing technicians.

A Focus on the Environment – From the Factory Down to the Transistor
Fab 32 will be among Intel's most environmentally friendly factories, incorporating a number of energy and water conservation measures that have come to characterize Intel's long track record of environmental stewardship in its operations.

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]




Intel's industry-leading 45nm process results in a 15 percent reduction in global warming emissions, and Fab 32 makes use of Intel Arizona's innovative water conservation and reuse program which conserves more than 70 percent of the water.

The company also announced that it intends to seek certification for the new fab as the company's first official Leadership in Energy and Environmental Design (LEED) factory based on new criteria being developed for facilities of this kind. LEED is a green building rating system developed by the U.S. Green Building Council that provides a set of standards for environmentally sustainable construction and requires several months of operating data before certification can be completed. The certification would demonstrate that Fab 32 meets the highest environmental standards and reflects Intel's history of commitment to environmental leadership.

To view the full Fab 32 press kit, visit [ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ] ([ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]).

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]




[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
pcnews.com
& etc...

[7305ramin]

:18::18::18::18::18:

[ocz]

آيا بدون كمك گرفتن از عنصر فلزي Hafnium ، امكان دستيابي به مرزهاي 45nm و امكان ساخت و توليد Penryn وجود داشت؟

پاسخ كاملا روشن است : خير



توضيح بيشتر

فناوري جديدي كه به‌طور جداگانه و هم‌زمان توسط آي‌بي‌ام و اينتل، ابداع شد توانست انقلابي در چيپ‌ها (تراشه‌ها)ي كامپيوتري ايجاد كند.

در اين فناوري به‌جاي سيليكون از فلز هافنيوم( Hafnium ) براي تنظيم جريان برق ترانزيستورها استفاده مي‌شود.

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

ترانزيستورها سوييچ‌هاي ريزي درون تراشه‌ها هستند كه وظيفه قطع و وصل جريان برق را بر عهده دارند.

گوردون مور ، نانوتكنولوژيست بزرگ و يكي از مؤسسان اينتل در دهه ۶۰ ميلادي قانوني را به نام قانون مور بيان كرده كه طبق آن «تعداد ترانزيستورهاي چيپ‌ها با قيمت ثابت، هر 18 ماه دو برابر مي‌شود».

اين قانون از زمان مطرح‌ شدن در دهه60 تاكنون همواره صدق كرده و تعداد ترانزيستورهاي گنجانده شده درون تراشه‌هاي جديد دائماً افزايش يافته است.

البته در سال‌هاي اخير به دليل رسيدن به مرز‌هاي اتمي، به نظر مي‌رسيد كه قانون مور با محدوديت‌هايي مواجه شده، اما كشف اخير آي‌بي‌ام و اينتل صحت قانون معروف مور را براي سال‌هاي آينده تضمين مي‌كند و اين يعني صنعت توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي با فروش ميانگين ۲۵۰ ميليارد دلار در سال، همچنان پر رونق خواهد بود.

با توجه به كشف جديد، توليدكنندگان چيپ‌هاي كامپيوتري مي‌توانند نسل بعدي چيپ‌ها را با مدارهايي با ضخامت تنها ۴۵ نانومتر توليد كنند. پيشرفته‌ترين تراشه‌هاي فعلي مدارهايي به ضخامت ۶۵ نانومتر دارند. هر نانومتر يك ميلياردم متر است و يك مدار ۴۵ نانومتري دو هزار برابر از يك تار موي انسان نازك‌تر است.

به گزارش رويترز، استيو اسميث يكي از مديران ارشد شركت اينتل هم اعلام كرده است كه پردازنده‌هاي توليد شده با استفاده از فناوري جديد در مقايسه با قدرتمندترين پردازنده‌هاي فعلي كارايي بسيار بالاتري خواهند داشت.

شركت آي‌بي‌ام هم كه هم‌زمان به فناوري مشابهي دست يافته‌ است اين فناوري را در آينده نزديك در اختيار شركاي تجاري خود از جمله اي‌ام‌دي (دومين سازنده پردازنده‌هاي رايانه‌اي پس از اينتل) و نيز شركت ژاپني توشيبا قرار خواهد داد.

به گفته برني ميرسون مدير فناوري شركت آي‌بي‌ام، پس از ۴۰ سال پيشرفت مداوم در زمينه ظريف‌تر شدن تراشه‌ها، در سال‌هاي اخير اين نگراني به‌وجود آمده بود كه مدارهاي تراشه‌ها در زمينه نازكتر شدن به حد پاياني خود نزديك مي‌شوند اما كشف اخير نشان مي‌دهد مدارهاي تراشه‌هاي رايانه‌اي را مي‌توان تا ابعاد بسيار ريز و باور نكردني كوچك كرد.

اين فناوري علاوه بر امكان توليد نسل بعدي تراشه‌ها با مدارهاي ۴۵ نانومتري، حتي راه را براي توليد نسل بعد از آن يعني تراشه‌هاي ۲۲ نانومتري نيز هموار مي‌كند.

ابعاد تراشه‌ها

از حدود چهل سال قبل تاكنون شركتهاي سازنده تراشه‌هاي رايانه‌اي از سيليكون براي توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي استفاده كرده‌اند.

در آخرين نمونه‌هاي اين تراشه‌ها، مدارهاي سيليكوني به اندازه‌اي كوچك شده بودند كه ضخامت آنها به تنها ۵ اتم رسيده بود و همين باعث مي‌شد برخي الكترون‌ها هنگام حركت در اين مدارهاي ظريف از مدار به بيرون نشت كنند كه اين امر سبب اتلاف انرژي به‌صورت گرما و مصرف بيشتر برق مي‌شود.

هم‌اكنون با استفاده از عنصر هافنيوم، امكان كاهش هرچه بيشتر ابعاد اين مدارها بدون اتلاف انرژي درون آنها فراهم شده‌ است كه اين امر به افزايش تعداد ترانزيستورهاي قابل تعبيه درون تراشه‌ها، افزايش ۲۰ درصدي توان محاسباتي و كاهش ۸۰ درصدي اتلاف برق در آنها منجر خواهد شد.

[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
Hafnium

اينتل اعلام کرده است که در آينده نزديک توليد انبوه پردازنده‌هاي مجهز به ترانزيستورهايي به قطر تنها 45 نانومتر (45 ميلياردم متر) را آغاز خواهد کرد. پردازنده‌هاي تازه اينتل که پنرين (Penryn) نامگذاري شده‌ است بيش از 400 ميليون ترانزيستور را روي تراشه‌اي که مساحتش نصف يک تمبر باشد جاي مي‌دهد.

پنرين مانند پردازنده‌هاي فعلي به‌صورت دوهسته‌اي (dual-core) يا چهارهسته‌اي (quad-core) عرضه خواهد شد که بدان معني است که روي هر تراشه دو يا چهار پردازنده جداگانه قرار خواهد داشت. اينتل سرعت پردازنده جديد را اعلام نکرده است.

آينده تراشه‌ها

توليد تکنولوژي 45- نانومتري از زمان ساخت ترانزيستور 65 نانومتري هدف تراشه‌سازان بوده است. ترانزيستور يک کليد ساده الکترونيکي است. هر تراشه نيازمند تعداد خاصي ترانزيستور است و هرچه تعداد آنها بيشتر باشد، تراشه مي‌تواند محاسبات بيشتري انجام دهد.

به گزارش ستاد ويژه توسعه فناوري نانو، گوردون مور توسعه و گنجاندن اين مواد به عنوان عناصر تراشه را «بزرگترين تغيير در فناوري ترانزيستور» از اواخر دهه 1960 توصيف کرده است. نخستين تراشه‌هاي حاوي وسايل 45 نانومتري را اينتل اواخر سال گذشته به نمايش گذاشت.

دکتر تزشيانگ چن، معاون علوم و تکنولوژي در مرکز تحقيقات آي‌بي‌ام در گفت‌وگو با بي‌بي‌سي تأكيد كرده است كه «صنعت تراشه‌سازي تاکنون با يک مانع عمده براي جلو بردن تکنولوژي امروزي روبه‌رو بود... اما بعد از حدوداً 10 سال تلاش، اکنون راهي به جلو يافته‌ايم.»

شيوه دقيق ساخت فلزات high-k توسط اينتل و آي‌بي‌ام فاش نشده است اما نکته مهم آن‌که هر دو شرکت گفته‌اند که مي‌توان آن را با کم‌ترين زحمت در فناوري محصولات فعلي جاي داد.
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]

[symk]

مرسی . خیلی کامل بود .

[ali_intel_3ghz]

شركت Intel به عنوان بزرگترين شركت سازنده پردازنده‌هاي PC،
نسل جديد پردازنده‌هاي خود را با بهره‌گري از تكنولوژي 45
نانومتري به زودي به بازار عرضه خواهد كرد. به دليل
محدوديت‌هاي موجود در پروسه ساخت 65 نانومتري، كه امورزه در
پردازنده‌هاي Intel مورد استفاده قرار مي‌گيرد، اين شركت تصميم
گرفته است تا به تدريج و از اواخر سال 2007 پردازنده‌هاي 65
نانومتري سري Core 2 خود را با انواع 45 نانومتري جايگزين كند.
با توجه به مشكلاتي كه براي انتقال به اين تكنولوژي بر سر راه
Intel قرار داشته، اين شركت مجبور به استفاده از تكنولوژي‌هاي
جديد متعددي شده‌است تا قادر باشد ترانزيستورهايي تا اين حد
كوچك ايجاد كرده و آن‌ها را در فركانس‌هاي بالا مورد استفاده
قرار دهد.
يكي از مهمترين تغييراتي كه Intel براي دستيابي به اين
تكنولوژي به آن دست زده است، استفاده از ترانزيستورهايي است كه
با نام ترانزيستورهاي HK-MG شناخته مي‌شود. براي درك كامل
مزاياي ترانزيستورهاي HK-MG بايد نگاهي به ساختمان ترانزيستور
داشته باشيم. ترانزيستورها اصولا سوييچ‌هاي بسيار كوچكي هستند
كه مي‌توانند در دو وضعيت روشن يا خاموش قرار بگيرند. پايه
گيت، پايه‌اي‌ است كه براي روشن و با خاموش كردن ترانزيستور
مورد استفاده قرار مي‌گيرد. اين پايه توسط يك لايه عايق از
ديگر بخش‌هاي ترانزيستور ايزوله شده است. وظيفه اين عايق
جداسازي گيت از ديگر بخش‌ها در هنگام برقراري جريان الكتريكي
است. اما معمولا يك جريان بسيار اندك كه با نام جريان نشتي نيز
شناخته ميشود، به طور مداوم از اين لايه عبور مي‌كند. اصولا
هرچه اندازه ترانزيستور كوچكتر‌ شود، بايد قطر اين لايه
جداكننده نيز كمتر شود و هرچه قطر اين لايه كمتر شود، جريان
نشتي نيز افزايش حواهد يافت. البته جريان فوق داراي اندازه
بسيار كوچكي است اما وقتي در ميليون‌ها ترانزيستور ضرب شود،
مي‌تواند ميزان قابل توجهي از توان الكتريكي را به هدر داده و
گرماي بسيار زيادي را توليد كند. Intel براي كاهش اين جريان
نشتي به جاي استفاده از دي‌اكسيد سيليكون، از موادي بر پايه
عنصر هافنيوم براي ساخت اين لايه جدا كننده استفاده كرده است.
با استفاده از اين عنصر علاوه بر كاهش جريان نشتي تا 10 برار
مي‌توان لايه جدا كننده را با اندازه‌هاي كوچكتري نيز توليد
نمود. علاوه‌بر اين به دليل ناسازگاري اين لايه جديد با
گيت‌هاي سيليكوني قبلي، اينتل مجبور به استفاده از گيت‌هاي
فلزي در ترانزيستورهاي 45 نانومتري خود شده است.
اين تغييرات سبب شده است تا پردازنده‌هاي جديدي كه با استفاده
از تكنولوژي 45 نانومتري و بهره گيري از اين ترانزيستورهاي
جديد ساخته شده‌اند، داراي چگالي ترانزيستوري تا دوبرابر انواع
65 نانومتري باشند. علاوه‌براين توان مورد نياز براي سوييچ
كردن ترانزيستورها تا 30 درصد كاسته شده و سرعت سوييچ آن‌‌ها
نيز تا حدود 20 درصد افزايش يافته است. در نهايت همانظور كه
گفته شد جريان نشتي پايه گيت تا 10 برابر و جريان نشتي
پايه‌هاي درين و سورس نيز تا 5 برابر در اين ترانزيستورهاي
كاهش يافته است. با استفاده از اين تكنولوژي Intel قادر خواهد
بود تا پردازنده‌هايي سريع‌تر، كم مصرف‌تر و ارزان قيمت‌تر
توليد كند.
شركت Intel براي پشتيباني از پردازنده‌هاي جديد 45 نانومتري
خود، چيپ‌ست‌هاس سري P35/P31/G33/G31 را معرفي نموده‌ است. با
توجه به توان بالاي پردازنده‌هاي جديد 45 نانومتري Intel شركت
و كارايي بالاي چيپ‌ست‌هاي جديد اين شركت، تعداد زيادي از
سازندگان مادربرد اقدام به معرفي محصولات جديد خود بر پايه
آن‌ها كرده‌اند. شركت GIGABYTE به عنوان يكي از بزرگترين توليد
كنندگان مادربرد، اقدام به معرفي مدل‌هاي متنوعي بر پايه اين
چيپ‌ست‌ها نموده‌است. در اين ميان 13 مدل مادربرد با استفاده
از چيپ‌ست P35، 2 مدل بر پايه چيپ‌ست P31، 4 مدل بر پايه
چيپ‌ست‌ G33 و يك مدل نيز بر پايه چيپ‌ست G31 بازار عرضه
كرده‌اند. اين مادربردها علاوه بر پشتيباني از از پردازنده‌هاي
جديد 45 نانومتري، از نسخه دوم طراحي با طول عمر بالاي
GIGABYTE نيز استفاده كرده و در نتيجه داراي ثبات، طول عمر و
كارايي بسيار بالايي نيز مي‌باشند.