مشاهده نسخه کامل
: ocz
31-05-2007, 09:28
شرکت Hynix موفق به اخذ تاییدیه Intel جهت تراشه های DDR3 خود گردید.
شرکت Hynix Semiconductor، یکی از تولید کنندگان تراشه های حافظه با دستیابی تصادفی (DRAM) که اکنون در حال رقابت فشرده ای با Samsung جهت دستیابی به عنوان بزرگترین تولید کننده تراشه حافظه می باشد، دیروز سه شنبه رسمت موفقیت خود را در اخذ تاییدیه شرکت Intel به جهت طراح و ساخت تراشه های حافظه DDR3 منطبق بر استاندارد های تعریف شده از طرف Intel، اعلام نمود.
محصولات DDR3 شرکت Hynix که موفق به گذراندن آزمایشات کیفی Intel گردیده اند عبارتند از ماژول های 1Gb DDR3 SDRAM که بر پایه فناوری ساخت 80 نانومتری ساخته شده اند و همچنین ماژول های 2 گیگابایتی همگی از نوع "بی میانگیر" یا Unbuffred می باشند. این قطعات در زمانبندی (CL5 5-5 (Timing و CL6 6-6 توانایی کارکرد در فرکانس 800 مگاهرتز، و در زمانبندی CL7 7-7 قابلیت کار در فرکانس 1066 مگاهرتز را دارا هستند. لازم به ذکر است که ولتاژ استاندارد ماژول های DDR در حدود 1.5 ولت تعیین شده که نسبت به حافظه های DDR2 تا حد زیادی کاهش یافته است.
یک نمونه اولیه ماژول حافظه ddr3:
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
بر پایه آخرین لیست ارایه شده از طرف Intel، تا این لحظه تنها تولید کننده ای که موفق شده نام خود را در لیست محصولات مورد تایید Intel قرار دهد Hynix می باشد.
دلیل اصلی طراحی و ساخت تراشه های حافظه DDR3 برای استفاده در کامپیوتر های شخصی به عنوان حافظه اصلی، افزایش کارایی و همچنین کاهش مصرف انرژی نسبت به حافظه های رایج DDR2 فعلی است. از جمله تفاوت های تراشه های DDR3 به DDR2 میتوان به معماری 8bit Pre-Fetch در برابر 4bit برای DDR2، تکنولوژی جدید On Die Termination یا ODT و مدل های PASR و ASR اشاره نمود.
حداکثر سرعت کارکرد تراشه های DDR3 در حدود 1600 مگاهرتز تعیین شده است که در نتیجه افزایش زمانبندی CAS یا Column Address Strobe به 5 تا 10 واحد در مقابل 3 تا 6 واحد حافظه های DDR2 بدست آمده است. با اینکه زمانبندی CL7 حافظه های DDR3 در مقابل CL5 حافظه های DDR2 ممکن است زیاد به نظر برسد، اما به علت بهبود معماری این حافظه ها از جمله معماری 8بیتی Pre-Fetch در آنها این اختلاف CL نهایتا تاثیری در کارای آنها نداشته بلکه بعث خواهد شد ماژول های حافظه DDR3 کارایی بسیار بهتری از DDR2 داشته باشند.
تفاوت ظاهری بین ماژول های حافظه DDR2 و DDR3:
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
بنا به گزارشات رسیده، تولید عمده حافظه های DDR3 در نیمه سوم سال جاری میلادی و همزمان با ارایه تراشه های پشتیبانی کننده از DDR3 برای مادربرد ها صورت خواهد گرفت. کارشناسان بازار سخت افزار پیشبینی میکنند که حافظه های DDR3 در هنگام عرضه حداکثر 25 درصد سهم بازار حافظه ها را در دست خواهند گرفت و روند رو به رشد مادبرد ها و پردازنده های پشتیبانی کننده از DDR3 نهایتا باعث خواهد شد که در سال 2010 حافظه های DDR3 تمامی بازار حافظه ها را در دست بگیرند.
ماژول های حافظه DDR3 با مشخصات زیر به بازار عرضه خواهند شد :
DDR3-800 PC3-6400 اجر در فرکانس 400 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 6.4 گیگابایت.
DDR3-1066 PC3-8500 اجر در فرکانس 533 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 8.53 گیگابایت.
DDR3-1333 PC3-6400 اجر در فرکانس 667 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 10.67 گیگابایت.
DDR3-1600 PC3-6400 اجر در فرکانس 800 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 12.8 گیگابایت.
منبع:سخت افزار.كام ([ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ])
شرکت Hynix Semiconductor، یکی از تولید کنندگان تراشه های حافظه با دستیابی تصادفی (DRAM) که اکنون در حال رقابت فشرده ای با Samsung جهت دستیابی به عنوان بزرگترین تولید کننده تراشه حافظه می باشد، دیروز سه شنبه رسمت موفقیت خود را در اخذ تاییدیه شرکت Intel به جهت طراح و ساخت تراشه های حافظه DDR3 منطبق بر استاندارد های تعریف شده از طرف Intel، اعلام نمود.
محصولات DDR3 شرکت Hynix که موفق به گذراندن آزمایشات کیفی Intel گردیده اند عبارتند از ماژول های 1Gb DDR3 SDRAM که بر پایه فناوری ساخت 80 نانومتری ساخته شده اند و همچنین ماژول های 2 گیگابایتی همگی از نوع "بی میانگیر" یا Unbuffred می باشند. این قطعات در زمانبندی (CL5 5-5 (Timing و CL6 6-6 توانایی کارکرد در فرکانس 800 مگاهرتز، و در زمانبندی CL7 7-7 قابلیت کار در فرکانس 1066 مگاهرتز را دارا هستند. لازم به ذکر است که ولتاژ استاندارد ماژول های DDR در حدود 1.5 ولت تعیین شده که نسبت به حافظه های DDR2 تا حد زیادی کاهش یافته است.
یک نمونه اولیه ماژول حافظه ddr3:
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
بر پایه آخرین لیست ارایه شده از طرف Intel، تا این لحظه تنها تولید کننده ای که موفق شده نام خود را در لیست محصولات مورد تایید Intel قرار دهد Hynix می باشد.
دلیل اصلی طراحی و ساخت تراشه های حافظه DDR3 برای استفاده در کامپیوتر های شخصی به عنوان حافظه اصلی، افزایش کارایی و همچنین کاهش مصرف انرژی نسبت به حافظه های رایج DDR2 فعلی است. از جمله تفاوت های تراشه های DDR3 به DDR2 میتوان به معماری 8bit Pre-Fetch در برابر 4bit برای DDR2، تکنولوژی جدید On Die Termination یا ODT و مدل های PASR و ASR اشاره نمود.
حداکثر سرعت کارکرد تراشه های DDR3 در حدود 1600 مگاهرتز تعیین شده است که در نتیجه افزایش زمانبندی CAS یا Column Address Strobe به 5 تا 10 واحد در مقابل 3 تا 6 واحد حافظه های DDR2 بدست آمده است. با اینکه زمانبندی CL7 حافظه های DDR3 در مقابل CL5 حافظه های DDR2 ممکن است زیاد به نظر برسد، اما به علت بهبود معماری این حافظه ها از جمله معماری 8بیتی Pre-Fetch در آنها این اختلاف CL نهایتا تاثیری در کارای آنها نداشته بلکه بعث خواهد شد ماژول های حافظه DDR3 کارایی بسیار بهتری از DDR2 داشته باشند.
تفاوت ظاهری بین ماژول های حافظه DDR2 و DDR3:
[ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ]
بنا به گزارشات رسیده، تولید عمده حافظه های DDR3 در نیمه سوم سال جاری میلادی و همزمان با ارایه تراشه های پشتیبانی کننده از DDR3 برای مادربرد ها صورت خواهد گرفت. کارشناسان بازار سخت افزار پیشبینی میکنند که حافظه های DDR3 در هنگام عرضه حداکثر 25 درصد سهم بازار حافظه ها را در دست خواهند گرفت و روند رو به رشد مادبرد ها و پردازنده های پشتیبانی کننده از DDR3 نهایتا باعث خواهد شد که در سال 2010 حافظه های DDR3 تمامی بازار حافظه ها را در دست بگیرند.
ماژول های حافظه DDR3 با مشخصات زیر به بازار عرضه خواهند شد :
DDR3-800 PC3-6400 اجر در فرکانس 400 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 6.4 گیگابایت.
DDR3-1066 PC3-8500 اجر در فرکانس 533 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 8.53 گیگابایت.
DDR3-1333 PC3-6400 اجر در فرکانس 667 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 10.67 گیگابایت.
DDR3-1600 PC3-6400 اجر در فرکانس 800 مگاهرتز و حداکثر پهنای باند 12.8 گیگابایت.
منبع:سخت افزار.كام ([ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ])