مشاهده نسخه کامل
: Saeed_TnT
14-04-2005, 23:40
ترانزیستور جدیدی ساخته شده است که مرز 600 گیگاهرتز را شکسته و رکورد جدید 604 گیگاهرتز را بجای گذاشته است.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از سایت [ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ] و به نقل از پی سی پرو، محققینی که روی این طرح کار کرده اند میگویند که ترانزیستورهای تراهرتزی (terahertz) هم در راه هستند. رکورد قبلی این سرعت در اختیار ژآپنیها بود که روی 560 گیگاهرتز کار میکرد.
این ترانزیستورهای جدید بجای بهره گیری از سیلیکون، با ایندیوم فسفاید (indium phosphide) و ایندیوم گالیوم آرسناید ( indium gallium arsenide) ساخته میشوند. این مواد با هم ترکیب میشوند تا یک ماده سه لایه ایجاد شود که پایه ترانزیستورهای دوقطبی (bipolar) را تشکیل میدهد. هر ترانزیستور از سه قسمت ساخته میشود که عبارتند از امیتر، بیس و کلکتور. تیم طراح میگوید که ساختار کلکتور را با افزودن ایندیوم، کریستاله میکنند تا هتروجانکشن سودومورفیک (pseudomorphic heterojunction) درست شود. این پیوند اجازه میدهد تا الکترونها آزادانه تر بین دو لایه حرکت کنند که در نتیجه این عمل، سرعت بالا حاصل میشود.
میلتون فینچ پروفسور مهندسی برق و کامپیوتر هولونیاک در ایلینویز که این مطالب را عنوان نمود اضافه کرد که هنوز چند سالی با ارائه نمونه عملی این ترانزیستورها به بازار فاصله داریم زیرا قیمتی که برای این نمونه تنظیم شده است 100 برابر ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون است هرچند که انتظار میرود با تولید انبوه، این هزینه تا 90 درصد کاهش یابد. یکی از نقاط ضعف این مواد جدید آنستکه بشدت نیرو مصرف میکنند که باعث میشود تا نتوان آنها را در میکروپروسسورها کنار هم قرار داد.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از سایت [ برای مشاهده لینک ، لطفا با نام کاربری خود وارد شوید یا ثبت نام کنید ] و به نقل از پی سی پرو، محققینی که روی این طرح کار کرده اند میگویند که ترانزیستورهای تراهرتزی (terahertz) هم در راه هستند. رکورد قبلی این سرعت در اختیار ژآپنیها بود که روی 560 گیگاهرتز کار میکرد.
این ترانزیستورهای جدید بجای بهره گیری از سیلیکون، با ایندیوم فسفاید (indium phosphide) و ایندیوم گالیوم آرسناید ( indium gallium arsenide) ساخته میشوند. این مواد با هم ترکیب میشوند تا یک ماده سه لایه ایجاد شود که پایه ترانزیستورهای دوقطبی (bipolar) را تشکیل میدهد. هر ترانزیستور از سه قسمت ساخته میشود که عبارتند از امیتر، بیس و کلکتور. تیم طراح میگوید که ساختار کلکتور را با افزودن ایندیوم، کریستاله میکنند تا هتروجانکشن سودومورفیک (pseudomorphic heterojunction) درست شود. این پیوند اجازه میدهد تا الکترونها آزادانه تر بین دو لایه حرکت کنند که در نتیجه این عمل، سرعت بالا حاصل میشود.
میلتون فینچ پروفسور مهندسی برق و کامپیوتر هولونیاک در ایلینویز که این مطالب را عنوان نمود اضافه کرد که هنوز چند سالی با ارائه نمونه عملی این ترانزیستورها به بازار فاصله داریم زیرا قیمتی که برای این نمونه تنظیم شده است 100 برابر ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون است هرچند که انتظار میرود با تولید انبوه، این هزینه تا 90 درصد کاهش یابد. یکی از نقاط ضعف این مواد جدید آنستکه بشدت نیرو مصرف میکنند که باعث میشود تا نتوان آنها را در میکروپروسسورها کنار هم قرار داد.