مشاهده نسخه کامل
: ABEL
25-09-2010, 23:19
يك پژوهشگر روسي توانست الگوهاي ليتوگرافي به ضخامت تنها 6 نانومتر و با فاصله 14 نانومتر از هم روي سطحايجاد کند. فاصله 14 نانومتري ميان اين الگوها ظرفيت
حافظه‌ها را در ابزارهايمختلفي همچون نسل جديد گوشي‌هاي تلفن همراه ده برابر افزايش خواهد داد.
به گزارش سرويس فناوريخبرگزاري دانشجويان ايران ايسنا:وديم سيدورکين از يک ميکروسکوپ يون هليون(HIM) براي ايجاد يون‌هاي هليوم بهره برد و با استفاده از اين روش
توانست نقاطي به قطر تنها 6 نانومتر بکشد.
وي كه مدرک دکتراي خود را از دانشگاه TU Delft دريافت كرده است، ساخت کوچک‌ترين ساختارهاي ممکن را با استفاده از تابش يونيو الکتروني بررسي کرد. در حال حاضر در
بخش صنعتي از نور براي ايجاد ساختارهاي بسيارکوچک روي مواد نيمه‌رسانا(مثلاً در توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي) استفاده مي‌شود.
در ايجاد نانوساختارها نه تنها قطر نقاط وخطوط منفردي که مي‌توان ايجاد کرد مهم است، بلکه فاصله ميان اين نقاط و خطوط نيز از اهميت بالايي برخوردار است. اين امر براي
توليد حافظه‌هاي با دانسيته بالاتر درابزارهايي همچون گوشي‌هاي تلفن همراه ضروري است. فاصله 14 نانومتري که سيدورکين بهآن دست يافته است، مي‌تواند ظرفيت اين
ابزارها را تا 10 برابر افزايش دهد. اين پژوهشگر روسي براي اين‌که بتواند فاصله ميان الگوها را به کمترين مقدار خود برساند،از يک لاک بسيار نازک سيلسِکوئي اُکسان هيدروژن
(HSQ) که توسط محققان دانشگاه Delft به‌طور خاص براي همين منظور توسعه يافته بود، استفاده کرد.
سيدورکين عملکرد تابش يون هليوم را باتابش الکتروني مقايسه کرده و دريافت که با استفاده از يون هليوم مي‌توان ساختارهاي نزديک‌تر به هم روي سطح حک كرد. از آن‌جايي
که يون‌هاي هليوم سنگين‌تر و بزرگ‌تر ازالکترون هستند، مي‌توانند با سرعت کمتري به روي سطح شليک شده و در عين حال همان مقدار انرژي برخوردي را داشته باشند.
همچنين اين يون‌ها آسيب کمتري به ماده اطراف وارد مي‌کنند، زيرا در برگشت از سطح فاصله کمتري طي کرده و ميزان نفوذ افقي آن‌هادر خود ساختار ايجاد شده کمتر است.
براي ايجاد يک تراشه رايانه‌اي، ابتدا<FONT face=Tahoma> ويفرهاي سيليکوني با لايه نازکي از ماده لاکي که «ماده مقاوم نورd
حافظه‌ها را در ابزارهايمختلفي همچون نسل جديد گوشي‌هاي تلفن همراه ده برابر افزايش خواهد داد.
به گزارش سرويس فناوريخبرگزاري دانشجويان ايران ايسنا:وديم سيدورکين از يک ميکروسکوپ يون هليون(HIM) براي ايجاد يون‌هاي هليوم بهره برد و با استفاده از اين روش
توانست نقاطي به قطر تنها 6 نانومتر بکشد.
وي كه مدرک دکتراي خود را از دانشگاه TU Delft دريافت كرده است، ساخت کوچک‌ترين ساختارهاي ممکن را با استفاده از تابش يونيو الکتروني بررسي کرد. در حال حاضر در
بخش صنعتي از نور براي ايجاد ساختارهاي بسيارکوچک روي مواد نيمه‌رسانا(مثلاً در توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي) استفاده مي‌شود.
در ايجاد نانوساختارها نه تنها قطر نقاط وخطوط منفردي که مي‌توان ايجاد کرد مهم است، بلکه فاصله ميان اين نقاط و خطوط نيز از اهميت بالايي برخوردار است. اين امر براي
توليد حافظه‌هاي با دانسيته بالاتر درابزارهايي همچون گوشي‌هاي تلفن همراه ضروري است. فاصله 14 نانومتري که سيدورکين بهآن دست يافته است، مي‌تواند ظرفيت اين
ابزارها را تا 10 برابر افزايش دهد. اين پژوهشگر روسي براي اين‌که بتواند فاصله ميان الگوها را به کمترين مقدار خود برساند،از يک لاک بسيار نازک سيلسِکوئي اُکسان هيدروژن
(HSQ) که توسط محققان دانشگاه Delft به‌طور خاص براي همين منظور توسعه يافته بود، استفاده کرد.
سيدورکين عملکرد تابش يون هليوم را باتابش الکتروني مقايسه کرده و دريافت که با استفاده از يون هليوم مي‌توان ساختارهاي نزديک‌تر به هم روي سطح حک كرد. از آن‌جايي
که يون‌هاي هليوم سنگين‌تر و بزرگ‌تر ازالکترون هستند، مي‌توانند با سرعت کمتري به روي سطح شليک شده و در عين حال همان مقدار انرژي برخوردي را داشته باشند.
همچنين اين يون‌ها آسيب کمتري به ماده اطراف وارد مي‌کنند، زيرا در برگشت از سطح فاصله کمتري طي کرده و ميزان نفوذ افقي آن‌هادر خود ساختار ايجاد شده کمتر است.
براي ايجاد يک تراشه رايانه‌اي، ابتدا<FONT face=Tahoma> ويفرهاي سيليکوني با لايه نازکي از ماده لاکي که «ماده مقاوم نورd